1 Mbit 128Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | TSOP |
| 包装说明 | 8 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-32 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| 命令用户界面 | YES |
| 数据轮询 | YES |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码 | e3/e6 |
| 长度 | 18.4 mm |
| 内存密度 | 1048576 bi |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 部门数/规模 | 8 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP32,.8,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 部门规模 | 16K |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.02 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | TIN/TIN BISMUTH |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 切换位 | YES |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 8 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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