MEMORY MODULE,SRAM,32KX32,CMOS,SDIP,64PIN,CERAMIC
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | SDIP, SDIP64,.6,50 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 45 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T64 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 |
| 端子数量 | 64 |
| 字数 | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 32KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC |
| 封装代码 | SDIP |
| 封装等效代码 | SDIP64,.6,50 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class C |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
| 46206-45/BXAJC | 46206-35/BXAJC | 46206-70/BXAJC | 46206-55/BZAJC | 46206-45/BZAJC | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | MEMORY MODULE,SRAM,32KX32,CMOS,SDIP,64PIN,CERAMIC | MEMORY MODULE,SRAM,32KX32,CMOS,SDIP,64PIN,CERAMIC | MEMORY MODULE,SRAM,32KX32,CMOS,SDIP,64PIN,CERAMIC | MEMORY MODULE,SRAM,32KX32,CMOS,QUIP,64PIN,CERAMIC | MEMORY MODULE,SRAM,32KX32,CMOS,QUIP,64PIN,CERAMIC |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) | NXP(恩智浦) |
| 包装说明 | SDIP, SDIP64,.6,50 | SDIP, SDIP64,.6,50 | SDIP, SDIP64,.6,50 | QIP, QUIP,64P,UNSPEC | QIP, QUIP,64P,UNSPEC |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 45 ns | 35 ns | 70 ns | 55 ns | 45 ns |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE | SRAM MODULE |
| 内存宽度 | 32 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 端子数量 | 64 | 64 | 64 | 64 | 64 |
| 字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
| 字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 32KX32 | 32KX32 | 32KX32 | 32KX32 | 32KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC | CERAMIC |
| 封装代码 | SDIP | SDIP | SDIP | QIP | QIP |
| 封装等效代码 | SDIP64,.6,50 | SDIP64,.6,50 | SDIP64,.6,50 | QUIP,64P,UNSPEC | QUIP,64P,UNSPEC |
| 封装形式 | IN-LINE, SHRINK PITCH | IN-LINE, SHRINK PITCH | IN-LINE, SHRINK PITCH | IN-LINE | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | MIL-STD-883 Class C | MIL-STD-883 Class C | MIL-STD-883 Class C | MIL-STD-883 Class C | MIL-STD-883 Class C |
| 最小待机电流 | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | QUAD | QUAD |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T64 | R-XDIP-T64 | R-XDIP-T64 | - | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | - |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - | - |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | - | - |
Microchip MCU
测试/测量
无线连接
嵌入式系统
FPGA/CPLD
微控制器 MCU
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