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M29F040-70XN1R

产品描述4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory
产品类别存储    存储   
文件大小230KB,共31页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M29F040-70XN1R概述

4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Single Supply Flash Memory

M29F040-70XN1R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1-R, TSSOP32,.8,20
针数32
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
其他特性100000 ERASE/PROGRAM CYCLES; 20 YEARS DATA RETENTION; BLOCK ERASE; BYTE PROGRAMMABLE
命令用户界面YES
数据轮询YES
数据保留时间-最小值20
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模8
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1-R
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
反向引出线YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模64K
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度8 mm
Base Number Matches1
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