Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> A43E16321G-75F

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A43E16321G-75F: 产品描述Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, CSP-90; 产品类别存储存储; 文件大小725KB，共45页; 制造商AMICC [AMIC TECHNOLOGY]; 标准

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A43E16321G-75F概述

Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, CSP-90

A43E16321G-75F规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	AMICC [AMIC TECHNOLOGY]
包装说明	LFBGA, BGA90,9X15,32
Reach Compliance Code	unknown
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90
长度	13 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	90
字数	2097152 words
字数代码	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
座面最大高度	1.4 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.00001 A
最大压摆率	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8 mm
Base Number Matches	1

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A43E16321

Preliminary

Document Title

512K X 32 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM

Revision History

Rev. No.

0.0

0.1

512K X 32 Bit X 4 Banks Low Power Synchronous DRAM

History

Initial issue

Add p

art numbering scheme

Issue Date

March 21, 2007

February 19, 2008

Remark

Preliminary

PRELIMINARY

(February, 2008, Version 0.1)

AMIC Technology, Corp.

A43E16321G-75F相似产品对比

	A43E16321G-75F	A43E16321G-95F	A43E16321G-95UF	A43E16321G-75UF
描述	Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, CSP-90	Synchronous DRAM, 2MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, CSP-90	Synchronous DRAM, 2MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, CSP-90	Synchronous DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, CSP-90
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	AMICC [AMIC TECHNOLOGY]	AMICC [AMIC TECHNOLOGY]	AMICC [AMIC TECHNOLOGY]	AMICC [AMIC TECHNOLOGY]
包装说明	LFBGA, BGA90,9X15,32	LFBGA, BGA90,9X15,32	LFBGA, BGA90,9X15,32	LFBGA, BGA90,9X15,32
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns	7 ns	7 ns	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	105 MHz	105 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90	R-PBGA-B90
长度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	90	90	90	90
字数	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	2000000	2000000	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C
组织	2MX32	2MX32	2MX32	2MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装等效代码	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32	BGA90,9X15,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A	0.00001 A
最大压摆率	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V	1.95 V	1.95 V	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V	1.8 V	1.8 V	1.8 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
Base Number Matches	1	1	1	1

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