M29W008AB90N5T,M29W008AB90N5T pdf中文资料,M29W008AB90N5T引脚图,M29W008AB90N5T电路-Datasheet-电子工程世界

M29W008AB90N5T: 产品描述8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory; 产品类别存储存储; 文件大小163KB，共30页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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M29W008AB90N5T概述

8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP1, TSSOP40,.8,20
针数	40
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	90 ns
其他特性	20 YEARS DATA RETENTION; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块	BOTTOM
命令用户界面	YES
数据轮询	YES
数据保留时间-最小值	20
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G40
JESD-609代码	e0
长度	18.4 mm
内存密度	8388608 bi
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	1,2,1,15
端子数量	40
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-20 °C
组织	1MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP40,.8,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
编程电压	2.7 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
部门规模	16K,8K,32K,64K
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	OTHER
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
切换位	YES
类型	NOR TYPE
宽度	10 mm

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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