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M29W040-100K6TR

产品描述4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
产品类别存储    存储   
文件大小211KB,共31页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M29W040-100K6TR概述

4 Mbit 512Kb x8, Uniform Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

M29W040-100K6TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码QFJ
包装说明PLASTIC, LCC-32
针数32
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PQCC-J32
JESD-609代码e3
长度13.65 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模8
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.56 mm
部门规模64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度11.4554 mm
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