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HN58V66AT-10: 产品描述64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A); 产品类别存储存储; 文件大小128KB，共27页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HN58V66AT-10概述

64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A)

HN58V66AT-10规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数	28
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	100 ns
其他特性	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 32 BYTE PAGE WRITE
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
数据保留时间-最小值	10
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
长度	11.8 mm
内存密度	65536 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP28,.53,22
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小	64 words
并行/串行	PARALLEL
电源	3/5 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.000005 A
最大压摆率	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.55 mm
端子位置	DUAL
切换位	YES
宽度	8 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms

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HN58V65A Series

HN58V66A Series

64 k EEPROM (8-kword

8-bit)

Ready/Busy function,

RES

function (HN58V66A)

ADE-203-539B (Z)

Rev. 2.0

Nov. 1997

Description

The Hitachi HN58V65A series and HN58V66A series are a electrically erasable and programmable

EEPROM’s organized as 8192-word

8-bit. They have realized high speed, low power consumption

and high relisbility by employing advanced MNOS memory technology and CMOS process and

circuitry technology. They also have a 64-byte page programming function to make their write

operations faster.

Features

•

Single supply: 2.7 to 5.5 V

•

Access time:



100 ns (max) at 2.7 V

≤

< 4.5 V



70 ns (max) at 4.5 V

≤

5.5 V

•

Power dissipation:



Active: 20 mW/MHz (typ)



Standby: 110

µW

(max)

•

On-chip latches: address, data,

CE, OE, WE

•

Automatic byte write: 10 ms (max)

•

Automatic page write (64 bytes): 10 ms (max)

•

Ready/Busy

•

Data

polling and Toggle bit

•

Data protection circuit on power on/off

•

Conforms to JEDEC byte-wide standard

•

Reliable CMOS with MNOS cell technology

HN58V66AT-10相似产品对比

	HN58V66AT-10	HN58V65A	HN58V65AP-10	HN58V65AFP-10	HN58V65AT-10	HN58V66AFP-10	HN58V66AP-10
描述	64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A)	64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A)	64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A)	64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A)	64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A)	64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A)	64 k EEPROM (8-kword x 8-bit) Ready/Busy function, RES function (HN58V66A)
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	-	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	TSOP	-	DIP	SOIC	TSOP	SOIC	DIP
包装说明	TSOP1, TSSOP28,.53,22	-	DIP, DIP28,.6	SOP, SOP28,.45	TSOP1, TSSOP28,.53,22	SOP, SOP28,.45	DIP, DIP28,.6
针数	28	-	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknown	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	100 ns	-	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns	100 ns
其他特性	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 32 BYTE PAGE WRITE	-	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 32 BYTE PAGE WRITE	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 32 BYTE PAGE WRITE	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 32 BYTE PAGE WRITE	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 32 BYTE PAGE WRITE	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 32 BYTE PAGE WRITE
命令用户界面	NO	-	NO	NO	NO	NO	NO
数据轮询	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
数据保留时间-最小值	10	-	10	10	10	10	10
JESD-30 代码	R-PDSO-G28	-	R-PDIP-T28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	R-PDIP-T28
长度	11.8 mm	-	35.6 mm	18.3 mm	11.8 mm	18.3 mm	35.6 mm
内存密度	65536 bi	-	65536 bi	65536 bit	65536 bi	65536 bi	65536 bi
内存集成电路类型	EEPROM	-	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	-	8	8	8	8	8
功能数量	1	-	1	1	1	1	1
端子数量	28	-	28	28	28	28	28
字数	8192 words	-	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	-	8000	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8KX8	-	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1	-	DIP	SOP	TSOP1	SOP	DIP
封装等效代码	TSSOP28,.53,22	-	DIP28,.6	SOP28,.45	TSSOP28,.53,22	SOP28,.45	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	-	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
页面大小	64 words	-	64 words	64 words	64 words	64 words	64 words
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	3/5 V	-	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V
编程电压	3 V	-	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
就绪/忙碌	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
座面最大高度	1.2 mm	-	5.7 mm	2.5 mm	1.2 mm	2.5 mm	5.7 mm
最大待机电流	0.000005 A	-	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A	0.000005 A
最大压摆率	0.025 mA	-	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	-	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	-	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	-	NO	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	-	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子节距	0.55 mm	-	2.54 mm	1.27 mm	0.55 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
切换位	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
宽度	8 mm	-	15.24 mm	8.4 mm	8 mm	8.4 mm	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)	10 ms	-	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms	10 ms

HN58V66AT-10

HN58V66AT-10概述

HN58V66AT-10规格参数

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