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HN58V1001P-25: 产品描述1M EEPROM (128-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function; 产品类别存储存储; 文件大小122KB，共22页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HN58V1001P-25概述

1M EEPROM (128-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function

HN58V1001P-25规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP32,.6
针数	32
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	250 ns
其他特性	10000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 128 BYTE PAGE WRITE
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
数据保留时间-最小值	10
JESD-30 代码	R-PDIP-T32
长度	41.9 mm
内存密度	1048576 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
页面大小	128 words
并行/串行	PARALLEL
电源	3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	5.08 mm
最大待机电流	0.00002 A
最大压摆率	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
切换位	YES
宽度	15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)	15 ms

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HN58V1001 Series

1M EEPROM (128-kword

8-bit)

Ready/Busy and

RES

function

ADE-203-314G (Z)

Rev. 7.0

Oct. 31, 1997

Description

The Hitachi HN58V1001 is a electrically erasable and programmable ROM organized as 131072-word

bit. It has realized high speed, low power consumption and high reliability by employing advanced MNOS

memory technology and CMOS process and circuitry technology. It also has a 128-byte page programming

function to make the write operations faster.

Features

•

Single 3 V supply: 2.7 V to 5.5 V

•

Access time: 250 ns (max)

•

Power dissipation



Active: 20 mW/MHz, (typ)



Standby: 110 µW (max)

•

On-chip latches: address, data,

CE, OE, WE

•

Automatic byte write: 15 ms (max)

•

Automatic page write (128 bytes): 15 ms (max)

•

Data

polling and RDY/Busy

•

Data protection circuit on power on/off

•

Conforms to JEDEC byte-wide standard

•

Reliable CMOS with MNOS cell technology

•

erase/write cycles (in page mode)

•

10 years data retention

•

Software data protection

•

Write protection by

RES

HN58V1001P-25相似产品对比

	HN58V1001P-25	HN58V1001	HN58V1001FP-25	HN58V1001T-25
描述	1M EEPROM (128-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function	1M EEPROM (128-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function	1M EEPROM (128-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function	1M EEPROM (128-kword x 8-bit) Ready/Busy and RES function
零件包装代码	DIP	-	SOIC	TSOP
包装说明	DIP, DIP32,.6	-	SOP, SOP32,.56	TSOP1, TSSOP32,.56,20
针数	32	-	32	28
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknown
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99
最长访问时间	250 ns	-	250 ns	250 ns
其他特性	10000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 128 BYTE PAGE WRITE	-	10000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 128 BYTE PAGE WRITE	10000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 128 BYTE PAGE WRITE
命令用户界面	NO	-	NO	NO
数据轮询	YES	-	YES	YES
数据保留时间-最小值	10	-	10	10
JESD-30 代码	R-PDIP-T32	-	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32
长度	41.9 mm	-	20.45 mm	12.4 mm
内存密度	1048576 bi	-	1048576 bi	1048576 bit
内存集成电路类型	EEPROM	-	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	-	8	8
功能数量	1	-	1	1
端子数量	32	-	32	32
字数	131072 words	-	131072 words	131072 words
字数代码	128000	-	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	70 °C
组织	128KX8	-	128KX8	128KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	-	SOP	TSOP1
封装等效代码	DIP32,.6	-	SOP32,.56	TSSOP32,.56,20
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小	128 words	-	128 words	128 words
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL
电源	3 V	-	3/5 V	3/5 V
编程电压	3 V	-	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified
就绪/忙碌	YES	-	YES	YES
座面最大高度	5.08 mm	-	3 mm	1.2 mm
最大待机电流	0.00002 A	-	0.00002 A	0.00002 A
最大压摆率	0.015 mA	-	0.015 mA	0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	-	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	-	3 V	3 V
表面贴装	NO	-	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	-	GULL WING	GULL WING
端子节距	2.54 mm	-	1.27 mm	0.5 mm
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL
切换位	YES	-	YES	YES
宽度	15.24 mm	-	11.3 mm	8 mm
最长写入周期时间 (tWC)	15 ms	-	15 ms	15 ms

HN58V1001P-25

HN58V1001P-25概述

HN58V1001P-25规格参数

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