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HN58S256AT-20: 产品描述256 k EEPROM (32-kword x 8-bit); 产品类别存储存储; 文件大小85KB，共17页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HN58S256AT-20概述

256 k EEPROM (32-kword x 8-bit)

HN58S256AT-20规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	TSOP
包装说明	TSOP1, TSSOP28,.53,22
针数	28
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	200 ns
其他特性	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE
命令用户界面	NO
数据轮询	YES
数据保留时间-最小值	10
耐久性	100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
长度	11.8 mm
内存密度	262144 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP1
封装等效代码	TSSOP28,.53,22
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小	64 words
并行/串行	PARALLEL
电源	2.5/3.3 V
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大待机电流	0.00001 A
最大压摆率	0.012 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.55 mm
端子位置	DUAL
切换位	YES
宽度	8 mm
最长写入周期时间 (tWC)	15 ms

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HN58S256A Series

256 k EEPROM (32-kword

8-bit)

ADE-203-692B (Z)

Rev. 2.0

Nov. 1997

Description

The Hitachi HN58S256A is a electrically erasable and programmable EEPROM’s organized as 32768-

word

8-bit employing advanced MNOS memory technology and CMOS process and circuitry

technology. It also has a 64-byte page programming function to make the write operations faster.

Features

•

Single supply: 2.2 to 3.6 V

•

Access time: 150 ns (max)/200 ns (max)

•

Power dissipation:



Active: 10 mW/MHz, (typ)



Standby: 36

µW

(max)

•

On-chip latches: address, data,

CE, OE, WE

•

Automatic byte write: 15 ms (max)

•

Automatic page write (64 bytes): 15 ms (max)

•

Data

polling and Toggle bit

•

Data protection circuit on power on/off

•

Conforms to JEDEC byte-wide standard

•

Reliable CMOS with MNOS cell technology

•

erase/write cycles (in page mode)

•

10 years data retention

•

Software data protection

•

Industrial versions (Temperatur range:–40 to 85˚C) are also available.

HN58S256AT-20相似产品对比

	HN58S256AT-20	HN58S256AT-15	HN58S256A
描述	256 k EEPROM (32-kword x 8-bit)	256 k EEPROM (32-kword x 8-bit)	256 k EEPROM (32-kword x 8-bit)
是否Rohs认证	不符合	不符合	-
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	-
零件包装代码	TSOP	TSOP	-
包装说明	TSOP1, TSSOP28,.53,22	TSOP1, TSSOP28,.53,22	-
针数	28	28	-
Reach Compliance Code	unknow	unknow	-
ECCN代码	EAR99	EAR99	-
最长访问时间	200 ns	150 ns	-
其他特性	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE	100000 ERASE/WRITE CYCLES; 10 YEARS DATA RETENTION; SOFTWARE DATA PROTECTION; 64 BYTE PAGE WRITE	-
命令用户界面	NO	NO	-
数据轮询	YES	YES	-
数据保留时间-最小值	10	10	-
耐久性	100000 Write/Erase Cycles	100000 Write/Erase Cycles	-
JESD-30 代码	R-PDSO-G28	R-PDSO-G28	-
长度	11.8 mm	11.8 mm	-
内存密度	262144 bi	262144 bi	-
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	-
内存宽度	8	8	-
功能数量	1	1	-
端子数量	28	28	-
字数	32768 words	32768 words	-
字数代码	32000	32000	-
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-
最高工作温度	70 °C	70 °C	-
组织	32KX8	32KX8	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装代码	TSOP1	TSOP1	-
封装等效代码	TSSOP28,.53,22	TSSOP28,.53,22	-
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	-
页面大小	64 words	64 words	-
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	-
电源	2.5/3.3 V	2.5/3.3 V	-
编程电压	3 V	3 V	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	-
最大待机电流	0.00001 A	0.00001 A	-
最大压摆率	0.012 mA	0.012 mA	-
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	-
最小供电电压 (Vsup)	2.2 V	2.2 V	-
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	-
表面贴装	YES	YES	-
技术	CMOS	CMOS	-
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-
端子形式	GULL WING	GULL WING	-
端子节距	0.55 mm	0.55 mm	-
端子位置	DUAL	DUAL	-
切换位	YES	YES	-
宽度	8 mm	8 mm	-
最长写入周期时间 (tWC)	15 ms	15 ms	-

HN58S256AT-20

HN58S256AT-20概述

HN58S256AT-20规格参数

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