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M29W400T-120N1R

产品描述4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
产品类别存储    存储   
文件大小223KB,共34页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M29W400T-120N1R概述

4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

M29W400T-120N1R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TSOP
包装说明12 X 20 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP-48
针数48
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
其他特性TOP BOOT BLOCK
备用内存宽度8
启动块TOP
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模1,2,1,7
端子数量48
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1-R
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/3.3 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
反向引出线YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度12 mm
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