128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32
128K × 8 电可擦除只读存储器 5V, 150 ns, PDSO32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOP, SOP32,.56 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 150 ns |
| 其他特性 | 10K ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION 10 YEARS |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| 数据保留时间-最小值 | 10 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
| 长度 | 20.45 mm |
| 内存密度 | 1048576 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP32,.56 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 页面大小 | 128 words |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES |
| 座面最大高度 | 3 mm |
| 最大待机电流 | 0.00002 A |
| 最大压摆率 | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 切换位 | YES |
| 宽度 | 11.3 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| HN58C1001FP-15 | HN58C1001P-15 | HN58C1001 | HN58C1001T-15 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32 | 128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32 | 128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32 | 128K X 8 EEPROM 5V, 150 ns, PDSO32 |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 组织 | 128KX8 | 128KX8 | 128K × 8 | 128KX8 |
| 表面贴装 | YES | NO | Yes | YES |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | 双 | DUAL |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | 不符合 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） | - | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | SOIC | DIP | - | TSOP |
| 包装说明 | SOP, SOP32,.56 | DIP, DIP32,.6 | - | TSOP1, TSSOP32,.56,20 |
| 针数 | 32 | 32 | - | 32 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | - | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 |
| 最长访问时间 | 150 ns | 150 ns | - | 150 ns |
| 其他特性 | 10K ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION 10 YEARS | 10K ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION 10 YEARS | - | 10K ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION 10 YEARS |
| 命令用户界面 | NO | NO | - | NO |
| 数据轮询 | YES | YES | - | YES |
| 数据保留时间-最小值 | 10 | 10 | - | 10 |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 | R-PDIP-T32 | - | R-PDSO-G32 |
| 长度 | 20.45 mm | 41.9 mm | - | 12.4 mm |
| 内存密度 | 1048576 bi | 1048576 bi | - | 1048576 bi |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | - | EEPROM |
| 字数 | 131072 words | 131072 words | - | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | 128000 | - | 128000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | - | 70 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | DIP | - | TSOP1 |
| 封装等效代码 | SOP32,.56 | DIP32,.6 | - | TSSOP32,.56,20 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE | - | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 页面大小 | 128 words | 128 words | - | 128 words |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | - | 5 V |
| 编程电压 | 5 V | 5 V | - | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 就绪/忙碌 | YES | YES | - | YES |
| 座面最大高度 | 3 mm | 5.08 mm | - | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.00002 A | 0.00002 A | - | 0.00002 A |
| 最大压摆率 | 0.05 mA | 0.05 mA | - | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | - | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | - | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - | 5 V |
| 技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | - | 0.5 mm |
| 切换位 | YES | YES | - | YES |
| 宽度 | 11.3 mm | 15.24 mm | - | 8 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms | - | 10 ms |
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