5962-8969102ZA概述

Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28

5962-8969102ZA规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP,
针数	28
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码	R-GDIP-T28
JESD-609代码	e0
长度	37.0205 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

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	5962-8969102ZA	5962-3829430MUA	5962-3829427MUA	5962-3829425MUA	5962-8969102UA	5962-8969104UA	5962-8969104ZA
描述	Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28	Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, QCC-28	Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, QCC-28	Standard SRAM, 8KX8, 45ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, QCC-28	Standard SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28	Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CQCC28, CERAMIC, LCC-28	Standard SRAM, 8KX8, 20ns, CMOS, CDIP28, 0.300 INCH, CERDIP-28
零件包装代码	DIP	QLCC	QLCC	QLCC	QLCC	QLCC	DIP
包装说明	DIP,	CERAMIC, QCC-28	QCCN, LCC28,.35X.55	QCCN, LCC28,.35X.55	QCCN,	QCCN,	DIP,
针数	28	28	28	28	28	28	28
Reach Compliance Code	unknown	_compli	_compli	not_compliant	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	25 ns	20 ns	35 ns	45 ns	25 ns	20 ns	20 ns
JESD-30 代码	R-GDIP-T28	R-CQCC-N28	R-CQCC-N28	R-CQCC-N28	R-CQCC-N28	R-CQCC-N28	R-GDIP-T28
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
内存密度	65536 bit	65536 bi	65536 bi	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28	28
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP	QCCN	QCCN	QCCN	QCCN	QCCN	DIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	YES	YES	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子面层	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1
其他特性	AUTOMATIC POWER-DOWN	-	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN	AUTOMATIC POWER-DOWN
长度	37.0205 mm	-	13.97 mm	13.97 mm	13.97 mm	13.97 mm	37.0205 mm
端口数量	1	-	1	1	1	1	1
可输出	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
座面最大高度	5.08 mm	-	1.905 mm	1.905 mm	1.905 mm	1.905 mm	5.08 mm
宽度	7.62 mm	-	8.89 mm	8.89 mm	8.89 mm	8.89 mm	7.62 mm

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