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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> HN3C13FU
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HN3C13FU

产品描述NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小85KB，共1页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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HN3C13FU概述

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

HN3C13FU规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.03 A
基于收集器的最大容量0.95 pF
集电极-发射极最大电压10 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)80
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量6
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)6000 MHz

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