电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

IRL3302-004PBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小94KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

IRL3302-004PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 39A I(D), 20V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IRL3302-004PBF规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)39 A
最大漏源导通电阻0.02 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)250
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
PD 9.1696A
PRELIMINARY
l
l
l
l
l
IRL3302
HEXFET
®
Power MOSFET
D
Advanced Process Technology
Optimized for 4.5V Gate Drive
Ideal for CPU Core DC-DC Converters
150°C Operating Temperature
Fast Switching
V
DSS
= 20V
G
S
R
DS(on)
= 0.020W
I
D
= 39A
Description
These HEXFET Power MOSFETs were designed
specifically to meet the demands of CPU core DC-DC
converters in the PC environment. Advanced
processing techniques combined with an optimized
gate oxide design results in a die sized specifically to
offer maximum cost.
The TO-220 package is universally preferred for all
commercial-industrial applications at power dissipation
levels to approximately 50 watts. The low thermal
resistance and low package cost of the TO-220
contribute to its wide acceptance throughout the
industry.
TO-220AB
Absolute Maximum Ratings
Parameter
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
V
GSM
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
T
J
T
STG
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 4.5V
Pulsed Drain Current

Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
(Start Up Transient, tp = 100µs)
Single Pulse Avalanche Energy‚
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
ƒ
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
Mounting torque, 6-32 or M3 srew
Max.
39
25
160
57
0.45
± 10
14
130
23
5.7
5.0
-55 to + 150
300 (1.6mm from case )
10 lbf•in (1.1N•m)
Units
A
W
W/°C
V
V
mJ
A
mJ
V/ns
°C
Thermal Resistance
Parameter
R
qJC
R
qCS
R
qJA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Typ.
–––
0.50
–––
Max.
2.2
–––
62
Units
°C/W
11/18/97
WINCE下已经知道显存的虚拟地址在AP层面怎么操作显存?用memcpy直接拷贝过去?
WINCE下已经知道显存的虚拟地址在AP层面怎么操作显存?用memcpy直接拷贝过去?...
chenmu 嵌入式系统
TI开源硬件平台BeagleBone申请方案
很羡慕A8处理器的强劲性能,无奈国内资源不充足开发板较贵,不能尽快上手熟悉,希望这是个机会...
shower.xu DSP 与 ARM 处理器
博客新版首页,希望你能喜欢~~~
https://home.eeworld.com.cn/ 141164 ...
soso 为我们提建议&公告
谁有海思Hi3511的SDK开发包
如果是Hi3511_VSSDK_V1.1.2.3那就最好了 呵呵我的Q:402699206 邮箱:zhuangguojin@163.com 如果人心肠的同胞有的话可以给我一份吗 在此感激不尽了...
lao3 嵌入式系统
请教单片机问题51单片机 怎么修改 每隔一定的时间把温度数据通过232串口发送? 20分敬上
请教单片机问题51单片机 怎么修改 每隔一定的时间把温度数据通过232串口发送?并通过串口接收时间校准数据 进行时间校准 ;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;;; ......
SiangLiu 嵌入式系统
C语言转线性汇编的问题,好奇怪
请问一下,写线性汇编需要注意什么吗, 我的线性汇编代码 处理一张图像没问题,但是处理视频就不对了,问题可能在哪? 算法是八连通查找算法,C语言是对的。 算法如下 C语言的: //除第一行 ......
wqzhong 编程基础

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1198  2332  2682  546  1884  29  10  52  2  33 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved