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HYM321005GS-60

产品描述EDO DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
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文件大小84KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYM321005GS-60概述

EDO DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72

HYM321005GS-60规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码SIMM
包装说明SIMM, SSIM72
针数72
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N72
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度20.32 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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32-Bit Dynamic RAM Module
(Hyper Page Mode - EDO Version)
HYM 321005S/GS-50/-60
Advanced Information
SIMM modules with 1 048 576 words by 32-bit organization
for PC main memory applications
Fast access and cycle time
50 ns access time
84 ns cycle time (-50 version)
60 ns access time
104 ns cycle time (-60 version)
Hyper page mode- EDO capability with
20 ns cycle time (-50 version)
25 ns cycle time (-60 version)
Single + 5 V (± 10 %) supply
Low power dissipation
max 2200 mW active (-50 version)
max. 1980 mW active (-60 version)
CMOS – 11 mW standby
TTL
– 22 mW standby
CAS-before-RAS refresh, RAS-only-refresh, Hidden refresh
2 decoupling capacitors mounted on substrate
All inputs, outputs and clock fully TTL compatible
72 pin Single in-Line Memory Module
Utilizes two 1M
×
16 -DRAMs in SOJ-42 packages
1024 refresh cycles / 16 ms
Optimized for use in byte-write non-parity applications
Tin-Lead contact pad HYM 321005S
Gold-Lead contact pad HYM 321005GS
single sided module with 20.32 mm (800 mil) height
Semiconductor Group
1
9.96

HYM321005GS-60相似产品对比

HYM321005GS-60 HYM321005S-60 HYM321005GS-50 HYM321005S-50
描述 EDO DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 EDO DRAM Module, 1MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 EDO DRAM Module, 1MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 EDO DRAM Module, 1MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM
包装说明 SIMM, SSIM72 SIMM, SSIM72 SIMM, SSIM72 SIMM, SSIM72
针数 72 72 72 72
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 60 ns 60 ns 50 ns 50 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72 R-XSMA-N72
内存密度 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit 33554432 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE EDO DRAM MODULE
内存宽度 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 72 72 72 72
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX32 1MX32 1MX32 1MX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM
封装等效代码 SSIM72 SSIM72 SSIM72 SSIM72
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 1024 1024 1024 1024
座面最大高度 20.32 mm 20.32 mm 20.32 mm 20.32 mm
自我刷新 NO NO NO NO
最大待机电流 0.002 A 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最大压摆率 0.36 mA 0.36 mA 0.4 mA 0.4 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
Base Number Matches 1 1 1 1
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