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HN2C12FU

产品描述NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小79KB,共1页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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HN2C12FU概述

NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)

HN2C12FU规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明2-2J1B, 6 PIN
Reach Compliance Codeunknow
其他特性LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)0.015 A
基于收集器的最大容量0.85 pF
集电极-发射极最大电压10 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量6
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)240
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)10000 MHz
Base Number Matches1
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