HN27C256AFP-15T概述

32K X 8 UVPROM, 120 ns, CDIP28

HN27C256AFP-15T规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SOIC
包装说明	SOP, SOP28,.5
针数	28
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	150 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0
长度	18 mm
内存密度	262144 bi
内存集成电路类型	OTP ROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装等效代码	SOP28,.5
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
编程电压	12.5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3 mm
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	8.4 mm

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HN27C256AFP-15T相似产品对比

	HN27C256AFP-15T	HN27C256A	HN27C256AG-10	HN27C256AP-15	HN27C256AP-12	HN27C256AG-12
描述	32K X 8 UVPROM, 120 ns, CDIP28	32K X 8 UVPROM, 120 ns, CDIP28	32K X 8 UVPROM, 120 ns, CDIP28	32K X 8 UVPROM, 120 ns, CDIP28	32K X 8 UVPROM, 120 ns, CDIP28	32K X 8 UVPROM, 120 ns, CDIP28
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	28	28	28	28	28	28
组织	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8	32KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
表面贴装	YES	NO	NO	NO	NO	NO
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
是否Rohs认证	不符合	-	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	-
零件包装代码	SOIC	-	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	SOP, SOP28,.5	-	WDIP, DIP28,.6	DIP, DIP28,.6	DIP, DIP28,.6	WDIP, DIP28,.6
针数	28	-	28	28	28	28
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknown	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	150 ns	-	100 ns	150 ns	120 ns	120 ns
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G28	-	R-GDIP-T28	R-PDIP-T28	R-PDIP-T28	R-GDIP-T28
JESD-609代码	e0	-	e0	e0	e0	e0
长度	18 mm	-	36.83 mm	35.6 mm	35.6 mm	36.83 mm
内存密度	262144 bi	-	262144 bi	262144 bit	262144 bi	262144 bi
内存集成电路类型	OTP ROM	-	UVPROM	OTP ROM	OTP ROM	UVPROM
字数	32768 words	-	32768 words	32768 words	32768 words	32768 words
字数代码	32000	-	32000	32000	32000	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	SOP	-	WDIP	DIP	DIP	WDIP
封装等效代码	SOP28,.5	-	DIP28,.6	DIP28,.6	DIP28,.6	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	IN-LINE, WINDOW	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	-	5 V	5 V	5 V	5 V
编程电压	12.5 V	-	12.5 V	12.5 V	12.5 V	12.5 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3 mm	-	5.89 mm	5.7 mm	5.7 mm	5.89 mm
最大待机电流	0.001 A	-	0.001 A	0.001 A	0.001 A	0.001 A
最大压摆率	0.03 mA	-	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	-	5 V	5 V	5 V	5 V
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距	1.27 mm	-	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
宽度	8.4 mm	-	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm

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