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RS1K

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小283KB,共4页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
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RS1K概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

RS1K规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
包装说明SMA, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
其他特性LOW POWER LOSS
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流30 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向恢复时间0.5 µs
表面贴装YES
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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RS1A-RS1M
Technical Data
Data Sheet N0988, Rev. B
RS1A-RS1M SURFACE
MOUNT SUPER FAST RECTIFIER
Features
The plastic package carries Underwriters Laboratory
Flammability Classification 94V-0
For surface mounted applications
Fast switching for high efficiency
Low reverse leakage
Built-in strain relief, ideal for automated placement
High forward surge current capability
High temperature soldering guaranteed:
250
C/10
seconds at terminals
This is a Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional testing can be offered upon request
SMA
Circuit Diagram
Mechanical Data
Case: SMA molded plastic body
Terminals: Solder plated, solderable per MIL-STD-750,
Method 2026
Polarity: Color band denotes cathode end
Mounting Position: Any
Weight: 0.06 grams
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Type Number
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average forward rectified output current
@T
L
= 90°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed on
rated load (JEDEC Method)
Forward Voltage
@I
F
=1.0A
Peak Reverse Current
@T
A
= 25°C
At Rated DC Blocking Voltage @T
A
= 100°C
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)
Typical Junction Capacitance (Note 2)
Typical Thermal Resistance Junction to
Ambient (Note 3)
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
DC
V
RMS
I
O
I
FSM
V
F
I
RM
Trr
C
J
R
θJA
T
J
, T
STG
150
15
50
-55 to +150
RS1A RS1B RS1D RS1G
50
35
100
70
200
140
400
280
1.0
30
1.3
5.0
50
250
500
RS1J
600
420
RS1K RS1M
800
560
1000
700
Units
V
V
A
A
V
µA
ns
pF
°C/W
°C
Note: 1. Reverse recovery condition IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A
2. Measured at 1MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
3. Mounted on P.C.B.with 8.0mm² land areas.
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com
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