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ITF87052SVT1

产品描述Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, PLASTIC, TSOP-6
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小207KB,共13页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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ITF87052SVT1概述

Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, PLASTIC, TSOP-6

ITF87052SVT1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
零件包装代码TSOP
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)3 A
最大漏源导通电阻0.19 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MO-193AA
JESD-30 代码R-PDSO-G6
元件数量1
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型P-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

ITF87052SVT1相似产品对比

ITF87052SVT1
描述 Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA, PLASTIC, TSOP-6
厂商名称 Fairchild
零件包装代码 TSOP
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数 6
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V
最大漏极电流 (ID) 3 A
最大漏源导通电阻 0.19 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 MO-193AA
JESD-30 代码 R-PDSO-G6
元件数量 1
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
极性/信道类型 P-CHANNEL
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
Base Number Matches 1
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