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4200BCP

产品描述Standard SRAM, 4KX1, 150ns, MOS, PDIP22
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文件大小574KB,共6页
制造商California Micro Devices
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4200BCP概述

Standard SRAM, 4KX1, 150ns, MOS, PDIP22

4200BCP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称California Micro Devices
包装说明DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间150 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDIP-T22
JESD-609代码e0
内存密度4096 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度1
端子数量22
字数4096 words
字数代码4000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP22,.4
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

4200BCP相似产品对比

4200BCP 4200ACD 4200BCD
描述 Standard SRAM, 4KX1, 150ns, MOS, PDIP22 Standard SRAM, 4KX1, 200ns, MOS, CDIP22, Standard SRAM, 4KX1, 150ns, MOS, CDIP22,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 California Micro Devices California Micro Devices California Micro Devices
包装说明 DIP, DIP22,.4 DIP, DIP22,.4 DIP, DIP22,.4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
最长访问时间 150 ns 200 ns 150 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDIP-T22 R-XDIP-T22 R-XDIP-T22
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存密度 4096 bit 4096 bit 4096 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1
端子数量 22 22 22
字数 4096 words 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000 4000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 4KX1 4KX1 4KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY CERAMIC CERAMIC
封装代码 DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP22,.4 DIP22,.4 DIP22,.4
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
技术 MOS MOS MOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1
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