32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | 12 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LFBGA-66 |
| 针数 | 66 |
| Reach Compliance Code | _compli |
| 最长访问时间 | 85 ns |
| 其他特性 | SRAM IS ORGANISED AS 512K X 16 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B66 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 12 mm |
| 内存密度 | 33554432 bi |
| 内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度 | 16 |
| 混合内存类型 | FLASH+SRAM |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 66 |
| 字数 | 2097152 words |
| 字数代码 | 2000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 2MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | LFBGA |
| 封装等效代码 | BGA66,8X12,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 电源 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.4 mm |
| 最大待机电流 | 0.00002 A |
| 最大压摆率 | 0.035 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 宽度 | 8 mm |
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