21DQ10TR: 产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 100V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小66KB，共2页; 制造商Nihon Inter Electronics Corporation; 官网地址http://www.niec.co.jp

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21DQ10TR概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 100V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2

21DQ10TR规格参数

	21DQ10TR	21DQ10TA2B1	21DQ09TR
描述	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 100V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 100V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 90V V(RRM), Silicon, MINIATURE PACKAGE-2
包装说明	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
针数	2	2	2
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
应用	EFFICIENCY	EFFICIENCY	EFFICIENCY
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	0.85 V	0.85 V	0.85 V
JESD-30 代码	O-PALF-W2	O-PALF-W2	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流	70 A	70 A	70 A
元件数量	1	1	1
相数	1	1	1
端子数量	2	2	2
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C
最大输出电流	1.2 A	1.2 A	1.2 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	LONG FORM	LONG FORM	LONG FORM
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	100 V	100 V	90 V
最大反向电流	1000 µA	1000 µA	1000 µA
表面贴装	NO	NO	NO
技术	SCHOTTKY	SCHOTTKY	SCHOTTKY
端子形式	WIRE	WIRE	WIRE
端子位置	AXIAL	AXIAL	AXIAL
Base Number Matches	1	1	1

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