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HMJE3055T

产品描述NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小30KB,共3页
制造商HSMC
官网地址http://www.hsmc.com.tw/
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HMJE3055T概述

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

HMJE3055T规格参数

参数名称属性值
厂商名称HSMC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknow
最大集电极电流 (IC)10 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)5
最高工作温度150 °C
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)75 W
表面贴装NO
标称过渡频率 (fT)2 MHz

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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6737-A
Issued Date : 1993.09.24
Revised Date : 1999.08.01
Page No. : 1/3
HMJE3055T
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
The HMJE3055T is designed for general purpose of amplifier and
switching applications.
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25°C)
Maximum Temperature
Storage Temperature ............................................................................................ -55 ~ +150
°C
Junction Temperature ..................................................................................... 150
°C
Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Tc=25°C) .................................................................................... 75 W
Total Power Dissipation (Ta=25°C) ................................................................................... 0.6 W
Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)
BVCBO Collector to Base Voltage ...................................................................................... 70 V
BVCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................... 60 V
BVEBO Emitter to Base Voltage ........................................................................................... 5 V
IC Collector Current ........................................................................................................... 10 A
IB Base Current .................................................................................................................... 6 A
Characteristics
(Ta=25°C)
Symbol
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICBO
ICEX
ICEO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VBE(on)
*hFE1
*hFE2
fT
Min.
60
70
5
-
-
-
-
-
-
-
20
5
2
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
1.
1.
700
5
1.1
8.0
1.8
100
-
-
Unit
V
V
V
mA
mA
uA
mA
V
V
V
Test Conditions
IC=200mA, IB=0
IC=10mA, IE=0
IE=10mA, IC=0
VCB=70V, IE=0
VCE=70V, VEB(off)=1.5V
VCE=30V, IB=0
VEB=5V, IC=0
IC=4A, IB=400mA
IC=10A, IB=3.3A
IC=4A, VCE=4V
IC=4A, VCE=4V
IC=10A, VCE=4V
VCE=10V, IC=500mA, f=0.5MHz
MHz
*Pulse Test : Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
HSMC Product Specification
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