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MB81F64442C-102FN

产品描述Synchronous DRAM, 16MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
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文件大小282KB,共45页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MB81F64442C-102FN概述

Synchronous DRAM, 16MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54

MB81F64442C-102FN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP54,.46,32
针数54
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

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FUJITSU SEMICONDUCTOR
DATA SHEET
DS05-11046-1E
MEMORY
CMOS
4
×
4 M
×
4 BIT
SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM
MB81F64442C-102/-103/-102L/-103L
CMOS 4-Bank
×
4,194,304-Word
×
4 Bit
Synchronous Dynamic Random Access Memory
s
DESCRIPTION
The Fujitsu MB81F64442C is a CMOS Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) containing
67,108,864 memory cells accessible in a 4-bit format. The MB81F64442C features a fully synchronous operation
referenced to a positive edge clock whereby all operations are synchronized at a clock input which enables high
performance and simple user interface coexistence. The MB81F64442C SDRAM is designed to reduce the
complexity of using a standard dynamic RAM (DRAM) which requires many control signal timing constraints, and
may improve data bandwidth of memory as much as 5 times more than a standard DRAM.
The MB81F64442C is ideally suited for workstations, personal computers, laser printers, high resolution graphic
adapters/accelerators and other applications where an extremely large memory and bandwidth are required and
where a simple interface is needed.
s
PRODUCT LINE & FEATURES
Parameter
CL - t
RCD -
t
RP
MB81F64442C
-102
-102L
-103
-103L
2 - 2 - 2 clk min.
100 MHz max.
10 ns min.
6 ns max.
105 mA max.
2 mA max.
1 mA max.
1 mA max.
500
µA
max.
3 - 2 - 2 clk min.
100 MHz max.
10 ns min.
6 ns max.
105 mA max.
2 mA max.
1 mA max.
1 mA max.
500
µA
max.
Clock Frequency
Burst Mode Cycle Time
Access Time From Clock (CL = 3)
Operating Current (2 banks active)
Power Down Mode Current (I
CC2P
)
Self Refresh Current (I
CC6
)
Single +3.3 V Supply ±0.3 V tolerance
LVTTL compatible I/O
4 K refresh cycles every 65.6 ms
Four bank operation
Burst read/write operation and burst
read/single write operation capability
• Standard and low power versions
• Programmable burst type, burst length, and
CAS latency
• Auto-and Self-refresh (every 16
µs)
• CKE power down mode
• Output Enable and Input Data Mask

MB81F64442C-102FN相似产品对比

MB81F64442C-102FN MB81F64442C-103FN
描述 Synchronous DRAM, 16MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54 Synchronous DRAM, 16MX4, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-54
是否Rohs认证 不符合 不符合
零件包装代码 TSOP2 TSOP2
包装说明 TSOP2, TSOP54,.46,32 TSOP2, TSOP54,.46,32
针数 54 54
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 100 MHz 100 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
交错的突发长度 2,4,8 2,4,8
JESD-30 代码 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54
JESD-609代码 e0 e0
长度 22.22 mm 22.22 mm
内存密度 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 4 4
功能数量 1 1
端口数量 1 1
端子数量 54 54
字数 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C
组织 16MX4 16MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2
封装等效代码 TSOP54,.46,32 TSOP54,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm
自我刷新 YES YES
连续突发长度 1,2,4,8,FP 1,2,4,8,FP
最大待机电流 0.001 A 0.001 A
最大压摆率 0.24 mA 0.24 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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