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HMBTA13

产品描述NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
文件大小32KB,共4页
制造商HSMC
官网地址http://www.hsmc.com.tw/
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HMBTA13概述

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
Spec. No. : HE6842
Issued Date : 1994.07.29
Revised Date : 2002.12.27
Page No. : 1/4
HMBTA13
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Description
Darlington Amplifier Transistor
Absolute Maximum Ratings
SOT-23
Maximum Temperatures
Storage Temperature ........................................................................................... -55 ~ +150
°C
Junction Temperature.................................................................................... +150
°C
Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25°C) ............................................................................... 225 mW
Thermal Resistance
Junction To Ambient Rθja............................................................................................ 556
o
C/W
Maximum Voltages and Currents (Ta=25°C)
VCBO Collector to Base Voltage ......................................................................................... 30 V
VCES Collector to Emitter Voltage ...................................................................................... 30 V
VEBO Emitter to Base Voltage............................................................................................ 10 V
IC Collector Current........................................................................................................ 300 mA
Characteristics
(Ta=25°C)
Symbol
BVCBO
BVCES
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)
VBE(on)
*hFE1
*hFE2
fT
Cob
Min.
30
30
10
-
-
-
-
5K
10K
125
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
-
-
100
100
1.5
2.0
-
-
-
6
Unit
V
V
V
nA
nA
V
V
Test Conditions
IC=100uA
IC=100uA
IE=10uA
VCB=30V
VEB=10V
IC=100mA, IB=0.1mA
VCE=5V, IC=100mA
VCE=5V, IC=10mA
VCE=5V, IC=100mA
VCE=5V, IC=10mA, f=100MHz
VCB=10V, f=1MHz
*Pulse Test: Pulse Width
≤380us,
Duty Cycle≤2%
MHz
pF
HMBTA13
HSMC Product Specification
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