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IR180LM06CS02

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小109KB,共3页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IR180LM06CS02概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 600V V(RRM), Silicon, WAFER

IR180LM06CS02规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明WAFER
Reach Compliance Codecompliant
应用FAST RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码S-XUUC-N1
元件数量1
相数1
端子数量1
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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Bulletin I0124J 07/97
IR180LM..CS02CB SERIES
FAST RECOVERY DIODES
Junction Size:
Wafer Size:
V
RRM
Class:
Passivation Process:
Square 180 mils
4"
200 to 600 V
Glassivated MOAT
Reference IR Packaged Part:
20ETF Series
Major Ratings and Characteristics
Parameters
V
FM
V
RRM
Maximum Forward Voltage
Reverse Breakdown Voltage Range
Units
1300 mV
200 to 600 V
Test Conditions
T
J
= 25°C, I
F
= 20 A
T
J
= 25°C, I
RRM
= 100 µA
(1)
(1)
Nitrogen flow on die edge.
Mechanical Characteristics
Nominal Back Metal Composition, Thickness
Nominal Front Metal Composition, Thickness
Chip Dimensions
Wafer Diameter
Wafer Thickness
Maximum Width of Sawing Line
Reject Ink Dot Size
Ink Dot Location
Recommended Storage Environment
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
100% Al, (20 µm)
180 x 180 mils (4.57x4.57 mm) - see drawing
100 mm, with std. < 110 > flat
260 µm
45 µm
0.25 mm diameter minimum
See drawing
Storage in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
www.irf.com
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