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HM9264BLP-10L

产品描述64 k SRAM (8-kword x 8-bit)
产品类别存储    存储   
文件大小70KB,共14页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM9264BLP-10L概述

64 k SRAM (8-kword x 8-bit)

HM9264BLP-10L规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP28,.6
针数28
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间100 ns
其他特性BATTERY BACK-UP OPERATION
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T28
JESD-609代码e0
长度35.6 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP28,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.7 mm
最大待机电流0.000025 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
Base Number Matches1

HM9264BLP-10L相似产品对比

HM9264BLP-10L HM9264BLFP-10L HM9264B HM9264BLFP-8L HM9264BLP-8L
描述 64 k SRAM (8-kword x 8-bit) 64 k SRAM (8-kword x 8-bit) 64 k SRAM (8-kword x 8-bit) 64 k SRAM (8-kword x 8-bit) 64 k SRAM (8-kword x 8-bit)
是否Rohs认证 不符合 - - 不符合 不符合
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 DIP SOIC - SOIC DIP
包装说明 DIP, DIP28,.6 SOP, SOP28,.45 - SOP, SOP28,.45 DIP, DIP28,.6
针数 28 28 - 28 28
Reach Compliance Code unknown unknown - unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99
最长访问时间 100 ns 100 ns - 85 ns 85 ns
其他特性 BATTERY BACK-UP OPERATION BATTERY BACK-UP OPERATION - BATTERY BACK-UP OPERATION BATTERY BACK-UP OPERATION
I/O 类型 COMMON COMMON - COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDSO-G28 - R-PDSO-G28 R-PDIP-T28
JESD-609代码 e0 - - e0 e0
长度 35.6 mm 18 mm - 18 mm 35.6 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit - 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM - STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 - 8 8
功能数量 1 1 - 1 1
端子数量 28 28 - 28 28
字数 8192 words 8192 words - 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 - 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C - 70 °C 70 °C
组织 8KX8 8KX8 - 8KX8 8KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP - SOP DIP
封装等效代码 DIP28,.6 SOP28,.45 - SOP28,.45 DIP28,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V - 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.7 mm 3 mm - 3 mm 5.7 mm
最大待机电流 0.000025 A 0.000025 A - 0.000025 A 0.000025 A
最小待机电流 2 V 2 V - 2 V 2 V
最大压摆率 0.045 mA 0.045 mA - 0.045 mA 0.045 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V - 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V - 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V - 5 V 5 V
表面贴装 NO YES - YES NO
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING - GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 1.27 mm - 1.27 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 15.24 mm 8.4 mm - 8.4 mm 15.24 mm
Base Number Matches 1 1 - 1 1
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