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HM658512ALRR-10

产品描述4 M PSRAM (512-kword x 8-bit) 2 k Refresh
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文件大小107KB,共22页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM658512ALRR-10概述

4 M PSRAM (512-kword x 8-bit) 2 k Refresh

HM658512ALRR-10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP2, TSOP32,.46
针数32
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度20.95 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型PSEUDO STATIC RAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP32,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
反向引出线YES
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.0002 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

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HM658512A Series
4 M PSRAM (512-kword
×
8-bit)
2 k Refresh
ADE-203-218C(Z)
Rev. 3.0
Nov. 1997
Description
The Hitachi HM658512A is a CMOS pseudo static RAM organized 512-kword
×
8-bit. It realizes higher
density, higher performance and low power consumption by employing 0.8 µm Hi-CMOS process
technology.
It offers low power data retention by self refresh mode. It also offers easy non multiplexed address
interface and easy refresh functions. HM658512A is suitable for handy systems which work with battery
back-up systems.
The device is packaged in a small 525-mil SOP (460-mil body SOP) or a 8
×
20 mm TSOP with thickness
of 1.2 mm, or a 600-mil plastic DIP. High density custom cards made of Tape Carrier Packages are also
available.
Features
Single 5 V (±10%)
High speed
Access time
CE
access time: 70/80/100 ns (max)
Cycle time
Random read/write cycle time:
115/130/160 ns (min)
Low power
Active: 250 mW (typ)
Standby: 200 µW (typ)
Directly TTL compatible
All inputs and outputs
Simple address configuration
Non multiplexed address
Refresh cycle
2048 refresh cycles: 32 ms
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