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GVT73512A8J-10I

产品描述Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
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文件大小63KB,共9页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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GVT73512A8J-10I概述

Standard SRAM, 512KX8, 10ns, CMOS, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36

GVT73512A8J-10I规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
包装说明0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间10 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J36
JESD-609代码e0
长度23.67 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量36
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ36,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.76 mm
最大待机电流0.01 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.24 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm
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