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HM62W8511HCJP-10: 产品描述4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit); 产品类别存储存储; 文件大小156KB，共16页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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HM62W8511HCJP-10概述

4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)

HM62W8511HCJP-10规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ36,.44
针数	36
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J36
长度	23.25 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	36
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ36,.44
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.76 mm
最大待机电流	0.005 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.115 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

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and discrete devices, and memory chips other than DRAMs (flash memory, SRAMs etc.)

Accordingly, although Hitachi, Hitachi, Ltd., Hitachi Semiconductors, and other Hitachi brand

names are mentioned in the document, these names have in fact all been changed to Renesas

Technology Corp. Thank you for your understanding. Except for our corporate trademark, logo and

corporate statement, no changes whatsoever have been made to the contents of the document, and

these changes do not constitute any alteration to the contents of the document itself.

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April 1, 2003

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contained therein.

HM62W8511HCJP-10相似产品对比

	HM62W8511HCJP-10	HM62W8511HCLJP-10	HM62W8511HCLJP-12	HM62W8511HC	HM62W8511HCJP-12
描述	4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)	4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)	4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)	4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)	4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	-	Renesas(瑞萨电子)	-	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	SOJ	SOJ	SOJ	-	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ36,.44	SOJ, SOJ36,.44	SOJ, SOJ36,.44	-	SOJ, SOJ36,.44
针数	36	36	36	-	36
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknow	-	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	-	3A991.B.2.A
最长访问时间	10 ns	10 ns	12 ns	-	12 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	-	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J36	R-PDSO-J36	R-PDSO-J36	-	R-PDSO-J36
长度	23.25 mm	23.25 mm	23.25 mm	-	23.25 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bi	4194304 bi	-	4194304 bi
内存集成电路类型	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	-	CACHE SRAM
内存宽度	8	8	8	-	8
功能数量	1	1	1	-	1
端子数量	36	36	36	-	36
字数	524288 words	524288 words	524288 words	-	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	-	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	-	70 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	-	512KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	SOJ	-	SOJ
封装等效代码	SOJ36,.44	SOJ36,.44	SOJ36,.44	-	SOJ36,.44
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	-	PARALLEL
电源	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified
座面最大高度	3.76 mm	3.76 mm	3.76 mm	-	3.76 mm
最大待机电流	0.005 A	0.001 A	0.001 A	-	0.005 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	-	2 V
最大压摆率	0.115 mA	0.115 mA	0.1 mA	-	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	-	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	-	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	-	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	-	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	-	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	-	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	-	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	-	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	-	10.16 mm
Base Number Matches	1	1	1	-	-

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