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HM62W4100HJP-12

产品描述4M High Speed SRAM (1-Mword x 4-bit)
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文件大小70KB,共13页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM62W4100HJP-12概述

4M High Speed SRAM (1-Mword x 4-bit)

HM62W4100HJP-12规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ32,.44
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间12 ns
其他特性TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J32
长度20.71 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度4
功能数量1
端子数量32
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.76 mm
最大待机电流0.005 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

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HM62W4100H Series
4M High Speed SRAM (1-Mword
×
4-bit)
ADE-203-774D (Z)
Rev. 1.0
Sep. 15, 1998
Description
The HM62W4100H is a 4-Mbit high speed static RAM organized 1-Mword
×
4-bit. It has realized high
speed access time by employing CMOS process (4-transistor + 2-poly resistor memory cell) and high speed
circuit designing technology. It is most appropriate for the application which requires high speed and high
density memory, such as cache and buffer memory in system. The HM62W4100H is packaged in 400-mil
32-pin SOJ for high density surface mounting.
Features
Single supply : 3.3 V
±
0.3 V
Access time 12/15 ns (max)
Completely static memory
No clock or timing strobe required
Equal access and cycle times
Directly TTL compatible
All inputs and outputs
Operating current : 180/160 mA (max)
TTL standby current : 60/50 mA (max)
CMOS standby current : 5 mA (max)
: 1 mA (max) (L-version)
Data retension current : 0.6 mA (max) (L-version)
Data retension voltage: 2 V (min) (L-version)
Center V
CC
and V
SS
type pinout

HM62W4100HJP-12相似产品对比

HM62W4100HJP-12 HM62W4100HJP-15 HM62W4100H HM62W4100HLJP-12 HM62W4100HLJP-15
描述 4M High Speed SRAM (1-Mword x 4-bit) 4M High Speed SRAM (1-Mword x 4-bit) 4M High Speed SRAM (1-Mword x 4-bit) 4M High Speed SRAM (1-Mword x 4-bit) 4M High Speed SRAM (1-Mword x 4-bit)
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 SOJ SOJ - SOJ SOJ
包装说明 SOJ, SOJ32,.44 SOJ, SOJ32,.44 - SOJ, SOJ32,.44 SOJ, SOJ32,.44
针数 32 32 - 32 32
Reach Compliance Code unknow unknow - unknow unknow
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A - 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 12 ns 15 ns - 12 ns 15 ns
其他特性 TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS - TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型 COMMON COMMON - COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32 - R-PDSO-J32 R-PDSO-J32
长度 20.71 mm 20.71 mm - 20.71 mm 20.71 mm
内存密度 4194304 bi 4194304 bi - 4194304 bi 4194304 bi
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM - CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 4 4 - 4 4
功能数量 1 1 - 1 1
端子数量 32 32 - 32 32
字数 1048576 words 1048576 words - 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 - 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C - 70 °C 70 °C
组织 1MX4 1MX4 - 1MX4 1MX4
输出特性 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ - SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ32,.44 SOJ32,.44 - SOJ32,.44 SOJ32,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL - PARALLEL PARALLEL
电源 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.76 mm 3.76 mm - 3.76 mm 3.76 mm
最大待机电流 0.005 A 0.005 A - 0.0003 A 0.0003 A
最小待机电流 3 V 3 V - 2 V 2 V
最大压摆率 0.18 mA 0.16 mA - 0.18 mA 0.16 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V - 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V - 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V - 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES - YES YES
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 J BEND J BEND - J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL - DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm - 10.16 mm 10.16 mm
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