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2SB647A-B-C

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小543KB,共3页
制造商SECOS
官网地址http://www.secosgmbh.com/
标准
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2SB647A-B-C概述

Transistor

2SB647A-B-C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
Reach Compliance Codecompli
最大集电极电流 (IC)1 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)60
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.9 W
表面贴装NO
Base Number Matches1

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2SB647A
Elektronische Bauelemente
-1A , -120V
PNP Plastic Encapsulated Transistor
RoHS Compliant Product
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
TO-92MOD
A
D
Power Amplifier Applications .
Low Frequency Power Amplifier
CLASSIFICATION OF h
FE
Product-Rank
Range
2SB647A-B
60~120
2SB647A-C
100~200
K
E
B
F
C
N
G
H
Collector
M
L
REF.
Millimeter
Min.
Max.
5.50
6.50
8.00
9.00
12.70
14.50
4.50
5.30
0.35
0.65
0.30
0.51
1.50 TYP.
J
Emitter
Collector
Base

A
B
C
D
E
F
G
REF.
H
J
K
L
M
N

Base

Emitter
Millimeter
Min.
Max.
1.70
2.05
2.70
3.20
0.85
1.15
1.60 Max
0.00
0.40
4.00 Min
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
=25°C unless otherwise specified)
Parameter
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current - Continuous
Collector Power Dissipation
Thermal Resistance, Junction To Ambient
Junction, Storage Temperature
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
R
θJA
T
J
, T
STG
Rating
-120
-100
-5
-1
0.9
139
150, -55~150
Unit
V
V
V
A
W
°C/W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise specified)
Parameter
Collector to Base Breakdown Voltage
Collector to Emitter Breakdown Voltage
Emitter to Base Breakdown Voltage
Collector Cut-Off Current
DC Current Gain
Collector to Emitter Saturation Voltage
Base to Emitter Saturation Voltage
Transition Frequency
Collector Output Capacitance
Symbol
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
h
FE
V
CE(sat)
V
BE
f
T
C
ob
Min.
-120
-100
-5
-
60
30
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
140
20
Max.
-
-
-
-10
200
-
-1
-1.5
-
-
Unit
V
V
V
μA
Test Conditions
I
C
= -10μA, I
E
=0
I
C
= -1mA, I
B
=0
I
E
= -10μA, I
C
=0
V
CB
= -100V, I
E
=0
V
CE
= -5V, I
C
= -150mA
V
CE
= -5V, I
C
= -500mA
I
C
= -500mA, I
B
= -50mA
V
CE
= -5V, I
C
= -150mA
V
CE
= -5V, I
C
= -150mA
V
CB
= -10V, I
E
=0, f=1MHz
V
V
MHz
pF
http://www.SeCoSGmbH.com/
Any changes of specification will not be informed individually.
16-Sep-2013 Rev. B
Page 1 of 3

2SB647A-B-C相似产品对比

2SB647A-B-C 2SB647A-C 2SB647A-C-C 2SB647A-B
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compli compli compli compliant
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A
配置 Single Single Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 60 100 100 60
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.9 W 0.9 W 0.9 W 0.9 W
表面贴装 NO NO NO NO
Base Number Matches 1 1 1 1

 
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