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HM62W16255HC

产品描述4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)
文件大小99KB,共18页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM62W16255HC概述

4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)

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HM62W16255HC Series
4M High Speed SRAM (256-kword
×
16-bit)
ADE-203-1200 (Z)
Preliminary
Rev. 0.0
Sep. 1, 2000
Description
The HM62W16255HC is a 4-Mbit high speed static RAM organized 256-kword
×
16-bit. It has realized high
speed access time by employing CMOS process (6-transistor memory cell) and high speed circuit designing
technology. It is most appropriate for the application which requires high speed, high density memory and
wide bit width configuration, such as cache and buffer memory in system. The HM62W16255HC is
packaged in 400-mil 44-pin SOJ and 400-mil 44-pin plastic TSOPII for high density surface mounting.
Features
Single 3.3 V supply: 3.3 V
±
0.3 V
Access time: 10 ns (max)
Completely static memory
No clock or timing strobe required
Equal access and cycle times
Directly TTL compatible
All inputs and outputs
Operating current: 145 mA (max)
TTL standby current: 40 mA (max)
CMOS standby current: 5 mA (max)
: 1 mA (max) (L-version)
Data retention current: 0.6 mA (max) (L-version)
Data retention voltage: 2.0 V (min) (L-version)
Center V
CC
and V
SS
type pinout
Preliminary: The specification of this device are subject to change without notice. Please contact your nearest
Hitachi’s Sales Dept. regarding specification.

HM62W16255HC相似产品对比

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描述 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit) 4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)
厂商名称 - Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas )
零件包装代码 - SOJ TSOP2 SOJ TSOP2
包装说明 - SOJ, SOJ44,.44 TSOP2, TSOP44,.46,32 SOJ, SOJ44,.44 TSOP2, TSOP44,.46,32
针数 - 44 44 44 44
Reach Compliance Code - unknow unknow unknow unknown
ECCN代码 - 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 - 10 ns 10 ns 10 ns 10 ns
I/O 类型 - COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 - R-PDSO-J44 R-PDSO-G44 R-PDSO-J44 R-PDSO-G44
长度 - 28.33 mm 18.41 mm 28.33 mm 18.41 mm
内存密度 - 4194304 bi 4194304 bi 4194304 bi 4194304 bit
内存集成电路类型 - CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 - 16 16 16 16
功能数量 - 1 1 1 1
端子数量 - 44 44 44 44
字数 - 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 - 256000 256000 256000 256000
工作模式 - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 - 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 - 256KX16 256KX16 256KX16 256KX16
输出特性 - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - SOJ TSOP2 SOJ TSOP2
封装等效代码 - SOJ44,.44 TSOP44,.46,32 SOJ44,.44 TSOP44,.46,32
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 - PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 - 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 - 3.76 mm 1.2 mm 3.76 mm 1.2 mm
最大待机电流 - 0.005 A 0.001 A 0.001 A 0.005 A
最小待机电流 - 2 V 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 - 0.145 mA 0.145 mA 0.145 mA 0.145 mA
最大供电电压 (Vsup) - 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) - 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) - 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 - YES YES YES YES
技术 - CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 - J BEND GULL WING J BEND GULL WING
端子节距 - 1.27 mm 0.8 mm 1.27 mm 0.8 mm
端子位置 - DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 - 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
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