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HM62V8512CLFP-7SL

产品描述4 M SRAM (512-kword x 8-bit)
产品类别存储    存储   
文件大小81KB,共16页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM62V8512CLFP-7SL概述

4 M SRAM (512-kword x 8-bit)

HM62V8512CLFP-7SL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP32,.56
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
Is SamacsysN
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
长度20.45 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度-20 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP32,.56
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3 mm
最大待机电流0.00002 A
最小待机电流2.7 V
最大压摆率0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度11.3 mm
Base Number Matches1

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HM62V8512C Series
4 M SRAM (512-kword
×
8-bit)
ADE-203-1210A (Z)
Rev. 1.0
Jan. 31, 2001
Description
The Hitachi HM62V8512C is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword
×
8-bit. It realizes higher density,
higher performance and low power consumption by employing CMOS process technology (6-transistor
memory cell). The device, packaged in a 525-mil SOP (foot print pitch width) or 400-mil TSOP TYPE II is
available for high density mounting. The HM62V8512C is suitable for battery backup system.
Features
Single 3.0 V supply: 2.7 V to 3.6 V
Access time: 55/70 ns (max)
Power dissipation
Active: 6.0 mW/MHz (typ)
Standby: 2.4 µW (typ)
Completely static memory. No clock or timing strobe required
Equal access and cycle times
Common data input and output: Three state output
Directly LV-TTL compatible: All inputs
Battery backup operation

 
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