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AM49DL640BH85IS

产品描述Memory Circuit, Flash+PSRAM, CMOS, PBGA73
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共63页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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AM49DL640BH85IS概述

Memory Circuit, Flash+PSRAM, CMOS, PBGA73

AM49DL640BH85IS规格参数

参数名称属性值
厂商名称AMD(超微)
包装说明FBGA, BGA73,10X12,32
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间85 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B73
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
混合内存类型FLASH+PSRAM
端子数量73
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装等效代码BGA73,10X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
电源3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.045 mA
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
Base Number Matches1

AM49DL640BH85IS相似产品对比

AM49DL640BH85IS AM49DL640BH56IS AM49DL640BH56IT
描述 Memory Circuit, Flash+PSRAM, CMOS, PBGA73 Memory Circuit, Flash+PSRAM, CMOS, PBGA73 Memory Circuit, Flash+PSRAM, CMOS, PBGA73
厂商名称 AMD(超微) AMD(超微) AMD(超微)
包装说明 FBGA, BGA73,10X12,32 FBGA, BGA73,10X12,32 FBGA, BGA73,10X12,32
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
最长访问时间 85 ns 70 ns 70 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B73 R-PBGA-B73 R-PBGA-B73
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
混合内存类型 FLASH+PSRAM FLASH+PSRAM FLASH+PSRAM
端子数量 73 73 73
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA FBGA FBGA
封装等效代码 BGA73,10X12,32 BGA73,10X12,32 BGA73,10X12,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
电源 3 V 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.000005 A 0.000005 A 0.000005 A
最大压摆率 0.045 mA 0.045 mA 0.045 mA
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
Base Number Matches 1 1 1

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