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HM62V16256CLTT-5: 产品描述4 M SRAM (256-kword x 16-bit); 产品类别存储存储; 文件大小83KB，共18页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HM62V16256CLTT-5概述

4 M SRAM (256-kword x 16-bit)

HM62V16256CLTT-5规格参数

参数名称	属性值
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数	44
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
长度	18.41 mm
内存密度	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	44
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度	-20 °C
组织	256KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL
电源	2.5/3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm
Base Number Matches	1

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HM62V16256C Series

4 M SRAM (256-kword

16-bit)

ADE-203-1099D (Z)

Rev. 1.0

Jan. 31, 2001

Description

The Hitachi HM62V16256C Series is 4-Mbit static RAM organized 262,144-word

16-bit. HM62V16256C

Series has realized higher density, higher performance and low power consumption by employing CMOS

process technology (6-transistor memory cell). It offers low power standby power dissipation; therefore, it is

suitable for battery backup systems. It is packaged in standard 44-pin plastic TSOPII.

Features

•

Single 2.5 V and 3.0 V supply: 2.2 V to 3.6 V

Fast access time: 55 ns/70 ns (max)

Power dissipation:



Active: 5.0 mW/MHz (typ)(V

= 2.5 V)

: 6.0 mW/MHz (typ) (V

= 3.0 V)



Standby: 2 µW (typ) (V

= 2.5 V)

: 2.4 µW (typ) (V

= 3.0 V)

Completely static memory.



No clock or timing strobe required

Equal access and cycle times

Common data input and output.



Three state output

Battery backup operation.



2 chip selection for battery backup

•

HM62V16256CLTT-5相似产品对比

	HM62V16256CLTT-5	HM62V16256C	HM62V16256CLTT-5SL	HM62V16256CLTT-7	HM62V16256CLTT-7SL
描述	4 M SRAM (256-kword x 16-bit)	4 M SRAM (256-kword x 16-bit)	4 M SRAM (256-kword x 16-bit)	4 M SRAM (256-kword x 16-bit)	4 M SRAM (256-kword x 16-bit)
零件包装代码	TSOP2	-	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2, TSOP44,.46,32	-	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数	44	-	44	44	44
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	-	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	55 ns	-	55 ns	70 ns	70 ns
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	-	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44
长度	18.41 mm	-	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm
内存密度	4194304 bi	-	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	-	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	16	-	16	16	16
功能数量	1	-	1	1	1
端子数量	44	-	44	44	44
字数	262144 words	-	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	-	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C
最低工作温度	-20 °C	-	-20 °C	-20 °C	-20 °C
组织	256KX16	-	256KX16	256KX16	256KX16
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	-	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSOP44,.46,32	-	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	-	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	2.5/3 V	-	2.5/3 V	2.5/3 V	2.5/3 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	-	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最小待机电流	2 V	-	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.025 mA	-	0.025 mA	0.025 mA	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	-	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.2 V	-	2.2 V	2.2 V	2.2 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	-	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	-	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
厂商名称	-	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）

HM62V16256CLTT-5

HM62V16256CLTT-5概述

HM62V16256CLTT-5规格参数

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