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HM62V16256BLTT-7

产品描述4 M SRAM (256-kword x 16-bit)
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文件大小78KB,共16页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM62V16256BLTT-7概述

4 M SRAM (256-kword x 16-bit)

HM62V16256BLTT-7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP44,.46,32
针数44
Reach Compliance Codeunknow
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
长度18.41 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量44
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP44,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.0003 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

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HM62V16256B Series
4 M SRAM (256-kword
×
16-bit)
ADE-203-933C (Z)
Rev. 2.0
Oct. 14, 1999
Description
The Hitachi HM62V16256B Series is 4-Mbit static RAM organized 262,144-word
×
16-bit. HM62V16256B
Series has realized higher density, higher performance and low power consumption by employing Hi-CMOS
process technology. It offers low power standby power dissipation; therefore, it is suitable for battery backup
systems. It is packaged in standard 44-pin plastic TSOPII.
Features
Single 3.0 V supply: 2.7 V to 3.6 V
Fast access time: 70 ns/85 ns (max)
Power dissipation:
Active: 9 mW (typ)
Standby: 3 µW (typ)
Completely static memory.
No clock or timing strobe required
Equal access and cycle times
Common data input and output.
Three state output
Battery backup operation.
2 chip selection for battery backup

HM62V16256BLTT-7相似产品对比

HM62V16256BLTT-7 HM62V16256BLTT-7SL HM62V16256BLTT-8 HM62V16256B HM62V16256BLTT-8SL
描述 4 M SRAM (256-kword x 16-bit) 4 M SRAM (256-kword x 16-bit) 4 M SRAM (256-kword x 16-bit) 4 M SRAM (256-kword x 16-bit) 4 M SRAM (256-kword x 16-bit)
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 - 不符合
厂商名称 Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas )
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 - TSOP2
包装说明 TSOP2, TSOP44,.46,32 TSOP2, TSOP44,.46,32 TSOP2, TSOP44,.46,32 - TSOP2, TSOP44,.46,32
针数 44 44 44 - 44
Reach Compliance Code unknow unknow unknow - unknow
最长访问时间 70 ns 70 ns 85 ns - 85 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON - COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 - R-PDSO-G44
JESD-609代码 e0 e0 e0 - e0
长度 18.41 mm 18.41 mm 18.41 mm - 18.41 mm
内存密度 4194304 bi 4194304 bi 4194304 bi - 4194304 bi
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM - STANDARD SRAM
内存宽度 16 16 16 - 16
功能数量 1 1 1 - 1
端子数量 44 44 44 - 44
字数 262144 words 262144 words 262144 words - 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 - 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C - 70 °C
组织 256KX16 256KX16 256KX16 - 256KX16
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 - TSOP2
封装等效代码 TSOP44,.46,32 TSOP44,.46,32 TSOP44,.46,32 - TSOP44,.46,32
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE - SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL - PARALLEL
电源 3 V 3 V 3 V - 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm - 1.2 mm
最大待机电流 0.0003 A 0.00002 A 0.0003 A - 0.00002 A
最小待机电流 2 V 2 V 2 V - 2 V
最大压摆率 0.07 mA 0.07 mA 0.065 mA - 0.065 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V - 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V - 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V - 3 V
表面贴装 YES YES YES - YES
技术 CMOS CMOS CMOS - CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL - COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING - GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm - 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL - DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm - 10.16 mm
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