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HM628512CLTT-5SL

产品描述512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32
产品类别存储    存储   
文件大小90KB,共17页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM628512CLTT-5SL概述

512K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO32

512K × 8 标准存储器, 55 ns, PDSO32

HM628512CLTT-5SL规格参数

参数名称属性值
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP32,.46
针数32
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间55 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
长度20.95 mm
内存密度4194304 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度-20 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP32,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大待机电流0.00001 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

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HM628512C Series
4 M SRAM (512-kword
×
8-bit)
ADE-203-1212 (Z)
Preliminary
Rev. 0.0
Sep. 12, 2000
Description
The Hitachi HM628512C is a 4-Mbit static RAM organized 512-kword
×
8-bit. It realizes higher density,
higher performance and low power consumption by employing Hi-CMOS process technology. The device,
packaged in a 525-mil SOP (foot print pitch width) or 400-mil TSOP TYPE II or 600-mil plastic DIP, is
available for high density mounting. The HM628512C is suitable for battery backup system.
Features
Single 5 V supply
Access time: 55/70 ns (max)
Power dissipation
Active: 50 mW/MHz (typ)
Standby: 10
µW
(typ)
Completely static memory. No clock or timing strobe required
Equal access and cycle times
Common data input and output: Three state output
Directly TTL compatible: All inputs and outputs
Battery backup operation
Preliminary: The specification of this device are subject to change without notice. Please contact your
nearest Hitachi’s Sales Dept. regarding specification.
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