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HM628511HJP-12: 产品描述4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit); 产品类别存储存储; 文件大小72KB，共13页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HM628511HJP-12概述

4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)

HM628511HJP-12规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ36,.44
针数	36
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns
其他特性	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J36
JESD-609代码	e0
长度	23.25 mm
内存密度	4194304 bi
内存集成电路类型	CACHE SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	36
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ36,.44
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.76 mm
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm

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HM628511H Series

4M High Speed SRAM (512-kword

8-bit)

ADE-203-762D (Z)

Rev. 1.0

Sep. 15, 1998

Description

The HM628511H Series is a 4-Mbit high speed static RAM organized 512-k word

8-bit. It has realized

high speed access time by employing CMOS process (4-transistor + 2-poly resistor memory cell)and high

speed circuit designing technology. It is most appropriate for the application which requires high speed, high

density memory and wide bit width configuration, such as cache and buffer memory in system. It is packaged

in 400-mil 36-pin plastic SOJ.

Features

•

Single 5.0 V supply : 5.0 V

10 %

•

Access time 10 /12 /15 ns (max)

•

Completely static memory



No clock or timing strobe required

•

Equal access and cycle times

•

Directly TTL compatible



All inputs and outputs

•

Operating current : 180 / 160 / 140 mA (max)

•

TTL standby current : 70 / 60 / 50 mA (max)

•

CMOS standby current : 5 mA (max)

: 1.2 mA (max) (L-version)

•

Data retension current: 0.8 mA (max) (L-version)

•

Data retension voltage: 2 V (min) (L-version)

•

Center V

and V

type pinout

HM628511HJP-12相似产品对比

	HM628511HJP-12	HM628511H	HM628511HJP-10	HM628511HJP-15	HM628511HLJP-12	HM628511HLJP-10	HM628511HLJP-15
描述	4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)	4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)	4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)	4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)	4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)	4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)	4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit)
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	-	-	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SOJ	-	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ36,.44	-	SOJ, SOJ36,.44	SOJ, SOJ36,.44	SOJ, SOJ36,.44	SOJ, SOJ36,.44	SOJ, SOJ36,.44
针数	36	-	36	36	36	36	36
Reach Compliance Code	unknow	-	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow
ECCN代码	3A991.B.2.A	-	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns	-	10 ns	15 ns	12 ns	10 ns	15 ns
其他特性	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS	-	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J36	-	R-PDSO-J36	R-PDSO-J36	R-PDSO-J36	R-PDSO-J36	R-PDSO-J36
长度	23.25 mm	-	23.25 mm	23.25 mm	23.25 mm	23.25 mm	23.25 mm
内存密度	4194304 bi	-	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bi
内存集成电路类型	CACHE SRAM	-	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM	CACHE SRAM
内存宽度	8	-	8	8	8	8	8
功能数量	1	-	1	1	1	1	1
端子数量	36	-	36	36	36	36	36
字数	524288 words	-	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	-	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	512KX8	-	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
输出特性	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	-	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ	SOJ
封装等效代码	SOJ36,.44	-	SOJ36,.44	SOJ36,.44	SOJ36,.44	SOJ36,.44	SOJ36,.44
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	-	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.76 mm	-	3.76 mm	3.76 mm	3.76 mm	3.76 mm	3.76 mm
最大待机电流	0.01 A	-	0.01 A	0.01 A	0.0003 A	0.0003 A	0.0003 A
最小待机电流	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.2 mA	-	0.24 mA	0.19 mA	0.2 mA	0.24 mA	0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	-	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	-	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	J BEND	-	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	-	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

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