BZW03-C13/22112,BZW03-C13/22112 pdf中文资料,BZW03-C13/22112引脚图,BZW03-C13/22112电路-Datasheet-电子工程世界

BZW03-C13/22112: 产品描述DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小213KB，共7页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com

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BZW03-C13/22112概述

DIODE 1000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

参数名称	属性值
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	O-LALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最小击穿电压	12.4 V
外壳连接	ISOLATED
最大钳位电压	18.9 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	O-LALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散	1000 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.75 W
认证状态	Not Qualified
最大反向电流	10 µA
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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