4M high Speed SRAM (256-kword x 16-bit)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | TSOP2 |
| 包装说明 | TSOP2, TSOP44,.46,32 |
| 针数 | 44 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 12 ns |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 18.41 mm |
| 内存密度 | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 16 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 44 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 256KX16 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 |
| 封装等效代码 | TSOP44,.46,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.005 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.2 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm |
| HM6216255HTTI-12 | HM6216255HI | HM6216255HJPI-12 | HM6216255HJPI-15 | HM6216255HTTI-15 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 4M high Speed SRAM (256-kword x 16-bit) | 4M high Speed SRAM (256-kword x 16-bit) | 4M high Speed SRAM (256-kword x 16-bit) | 4M high Speed SRAM (256-kword x 16-bit) | 4M high Speed SRAM (256-kword x 16-bit) |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） | - | Hitachi （Renesas ） | - | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | TSOP2 | - | SOJ | SOJ | TSOP2 |
| 包装说明 | TSOP2, TSOP44,.46,32 | - | SOJ, SOJ44,.44 | SOJ, SOJ44,.44 | TSOP2, TSOP44,.46,32 |
| 针数 | 44 | - | 44 | 44 | 44 |
| Reach Compliance Code | unknow | - | unknow | unknow | unknow |
| ECCN代码 | 3A991.B.2.A | - | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | 12 ns | - | 12 ns | 15 ns | 15 ns |
| I/O 类型 | COMMON | - | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G44 | - | R-PDSO-J44 | R-PDSO-J44 | R-PDSO-G44 |
| JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 18.41 mm | - | 28.33 mm | 28.33 mm | 18.41 mm |
| 内存密度 | 4194304 bi | - | 4194304 bi | 4194304 bi | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM | - | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 16 | - | 16 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | - | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 44 | - | 44 | 44 | 44 |
| 字数 | 262144 words | - | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | - | 256000 | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | - | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 256KX16 | - | 256KX16 | 256KX16 | 256KX16 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP2 | - | SOJ | SOJ | TSOP2 |
| 封装等效代码 | TSOP44,.46,32 | - | SOJ44,.44 | SOJ44,.44 | TSOP44,.46,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | - | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | - | 3.76 mm | 3.76 mm | 1.2 mm |
| 最大待机电流 | 0.005 A | - | 0.005 A | 0.005 A | 0.005 A |
| 最小待机电流 | 4.5 V | - | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 最大压摆率 | 0.2 mA | - | 0.2 mA | 0.18 mA | 0.18 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | - | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | - | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | - | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | - | J BEND | J BEND | GULL WING |
| 端子节距 | 0.8 mm | - | 1.27 mm | 1.27 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | DUAL | - | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm | - | 10.16 mm | 10.16 mm | 10.16 mm |
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