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HM6216255HC: 产品描述4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit); 文件大小98KB，共17页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HM6216255HC概述

4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)

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HM6216255HC Series

4M High Speed SRAM (256-kword

16-bit)

ADE-203-1196 (Z)

Preliminary

Rev. 0.0

Oct. 31, 2000

Description

The HM6216255HC Series is a 4-Mbit high speed static RAM organized 256-k word

16-bit. It has realized

high speed access time by employing CMOS process (6-transistor memory cell) and high speed circuit

designing technology. It is most appropriate for the application which requires high speed, high density

memory and wide bit width configuration, such as cache and buffer memory in system. It is packaged in 400-

mil 44-pin plastic SOJ and 400-mil 44-pin plastic TSOPII.

Features

•

Single 5.0 Vsupply : 5.0 V ± 10 %

•

Access time: 10 ns (max)

•

Completely static memory



No clock or timing strobe required

•

Equal access and cycle times

•

Directly TTL compatible



All inputs and outputs

•

Operating current: 170 mA (max)

•

TTL standby current: 40 mA (max)

•

CMOS standby current: 5 mA (max)

: 1.2 mA (max) (L-version)

•

Data retansion current: 0.8 mA (max) (L-version)

•

Data retantion voltage: 2 V (min) (L-version)

•

Center V

and V

type pinout

Preliminary: The specification of this device are subject to change without notice. Please contact your

nearest Hitachi’s Sales Dept. regarding specification.

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描述	4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)	4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)	4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)	4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)	4M High Speed SRAM (256-kword x 16-bit)
厂商名称	-	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	-	SOJ	TSOP2	TSOP2	SOJ
包装说明	-	SOJ, SOJ44,.44	TSOP2, TSOP44,.46,32	TSOP2, TSOP44,.46,32	SOJ, SOJ44,.44
针数	-	44	44	44	44
Reach Compliance Code	-	unknow	unknow	unknown	unknow
ECCN代码	-	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A	3A991.B.2.A
最长访问时间	-	10 ns	10 ns	10 ns	10 ns
I/O 类型	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	-	R-PDSO-J44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-J44
长度	-	28.33 mm	18.41 mm	18.41 mm	28.33 mm
内存密度	-	4194304 bi	4194304 bi	4194304 bit	4194304 bi
内存集成电路类型	-	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	-	16	16	16	16
功能数量	-	1	1	1	1
端子数量	-	44	44	44	44
字数	-	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	-	256000	256000	256000	256000
工作模式	-	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	-	256KX16	256KX16	256KX16	256KX16
输出特性	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	-	SOJ	TSOP2	TSOP2	SOJ
封装等效代码	-	SOJ44,.44	TSOP44,.46,32	TSOP44,.46,32	SOJ44,.44
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE
并行/串行	-	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	-	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	-	3.76 mm	1.2 mm	1.2 mm	3.76 mm
最小待机电流	-	2 V	2 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	-	0.17 mA	0.17 mA	0.17 mA	0.17 mA
最大供电电压 (Vsup)	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	-	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	-	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	-	YES	YES	YES	YES
技术	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	-	J BEND	GULL WING	GULL WING	J BEND
端子节距	-	1.27 mm	0.8 mm	0.8 mm	1.27 mm
端子位置	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	-	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

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