4M High Speed SRAM (4-Mword x 1-bit)
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | SOJ |
| 包装说明 | SOJ, SOJ32,.44 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 最长访问时间 | 15 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 20.71 mm |
| 内存密度 | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 4MX1 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ |
| 封装等效代码 | SOJ32,.44 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.76 mm |
| 最大待机电流 | 0.0003 A |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.16 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm |
| HM621400HLJP-15 | HM621400HJP-15 | HM621400H | HM621400HJP-10 | HM621400HJP-12 | HM621400HLJP-10 | HM621400HLJP-12 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 4M High Speed SRAM (4-Mword x 1-bit) | 4M High Speed SRAM (4-Mword x 1-bit) | 4M High Speed SRAM (4-Mword x 1-bit) | 4M High Speed SRAM (4-Mword x 1-bit) | 4M High Speed SRAM (4-Mword x 1-bit) | 4M High Speed SRAM (4-Mword x 1-bit) | 4M High Speed SRAM (4-Mword x 1-bit) |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | - | - | - | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Hitachi （Renesas ） | - | - | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） | Hitachi （Renesas ） |
| 零件包装代码 | SOJ | SOJ | - | SOJ | SOJ | SOJ | SOJ |
| 包装说明 | SOJ, SOJ32,.44 | SOJ, SOJ32,.44 | - | 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 | SOJ, SOJ32,.44 | SOJ, SOJ32,.44 | SOJ, SOJ32,.44 |
| 针数 | 32 | 32 | - | 32 | 32 | 32 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknow | unknown | - | unknow | unknow | unknow | unknow |
| 最长访问时间 | 15 ns | 15 ns | - | 10 ns | 12 ns | 10 ns | 12 ns |
| I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE | - | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-J32 | R-PDSO-J32 | - | R-PDSO-J32 | R-PDSO-J32 | R-PDSO-J32 | R-PDSO-J32 |
| JESD-609代码 | e0 | - | - | - | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 20.71 mm | 20.71 mm | - | 20.71 mm | 20.71 mm | 20.71 mm | 20.71 mm |
| 内存密度 | 4194304 bi | 4194304 bit | - | 4194304 bi | 4194304 bi | 4194304 bi | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM | - | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
| 内存宽度 | 1 | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 | - | 32 | 32 | 32 | 32 |
| 字数 | 4194304 words | 4194304 words | - | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words | 4194304 words |
| 字数代码 | 4000000 | 4000000 | - | 4000000 | 4000000 | 4000000 | 4000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | - | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 4MX1 | 4MX1 | - | 4MX1 | 4MX1 | 4MX1 | 4MX1 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOJ | SOJ | - | SOJ | SOJ | SOJ | SOJ |
| 封装等效代码 | SOJ32,.44 | SOJ32,.44 | - | SOJ32,.44 | SOJ32,.44 | SOJ32,.44 | SOJ32,.44 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 5 V | 5 V | - | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 3.76 mm | 3.76 mm | - | 3.76 mm | 3.76 mm | 3.76 mm | 3.76 mm |
| 最大待机电流 | 0.0003 A | 0.005 A | - | 0.005 A | 0.005 A | 0.0003 A | 0.0003 A |
| 最小待机电流 | 2 V | 4.5 V | - | 4.5 V | 4.5 V | 2 V | 2 V |
| 最大压摆率 | 0.16 mA | 0.16 mA | - | 0.2 mA | 0.18 mA | 0.2 mA | 0.18 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | - | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | - | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | - | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | - | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | J BEND | - | J BEND | J BEND | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | - | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | - | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 10.16 mm | 10.16 mm | - | 10.16 mm | 10.16 mm | 10.16 mm | 10.16 mm |
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