4M High Speed SRAM (4-Mword x 1-bit)

| HM621400HC | HM621400HCJP-10 | HM621400HCLJP-10 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 4M High Speed SRAM (4-Mword x 1-bit) | 4M High Speed SRAM (4-Mword x 1-bit) | 4M High Speed SRAM (4-Mword x 1-bit) |
| 厂商名称 | - | Hitachi (Renesas ) | Hitachi (Renesas ) |
| 零件包装代码 | - | SOJ | SOJ |
| 包装说明 | - | SOJ, SOJ32,.44 | SOJ, SOJ32,.44 |
| 针数 | - | 32 | 32 |
| Reach Compliance Code | - | unknow | unknow |
| ECCN代码 | - | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | - | 10 ns | 10 ns |
| I/O 类型 | - | SEPARATE | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | - | R-PDSO-J32 | R-PDSO-J32 |
| 长度 | - | 20.71 mm | 20.71 mm |
| 内存密度 | - | 4194304 bi | 4194304 bi |
| 内存集成电路类型 | - | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | - | 1 | 1 |
| 功能数量 | - | 1 | 1 |
| 端子数量 | - | 32 | 32 |
| 字数 | - | 4194304 words | 4194304 words |
| 字数代码 | - | 4000000 | 4000000 |
| 工作模式 | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | - | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | - | 4MX1 | 4MX1 |
| 输出特性 | - | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | - | SOJ | SOJ |
| 封装等效代码 | - | SOJ32,.44 | SOJ32,.44 |
| 封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | - | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | - | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | - | 3.76 mm | 3.76 mm |
| 最小待机电流 | - | 4.5 V | 2 V |
| 最大压摆率 | - | 0.14 mA | 0.14 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | - | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | - | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | - | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | - | YES | YES |
| 技术 | - | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | - | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子形式 | - | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | - | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | - | DUAL | DUAL |
| 宽度 | - | 10.16 mm | 10.16 mm |
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