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M381L5623MTM-CA2

产品描述DDR SDRAM Unbuffered Module
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文件大小251KB,共17页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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M381L5623MTM-CA2概述

DDR SDRAM Unbuffered Module

M381L5623MTM-CA2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM, DIMM184
针数184
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N184
内存密度9663676416 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度72
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX72
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大待机电流0.108 A
最大压摆率3.825 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

M381L5623MTM-CA2相似产品对比

M381L5623MTM-CA2 M381L5623MTN M381L5623MTM-CB0 M381L5623MTM-CB3 M368L5623MTN-CB3 M368L5623MTN-CA2 M368L5623MTN-CB0 M368L5623MTN
描述 DDR SDRAM Unbuffered Module DDR SDRAM Unbuffered Module DDR SDRAM Unbuffered Module DDR SDRAM Unbuffered Module DDR SDRAM Unbuffered Module DDR SDRAM Unbuffered Module DDR SDRAM Unbuffered Module DDR SDRAM Unbuffered Module
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 -
厂商名称 SAMSUNG(三星) - SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) -
零件包装代码 DIMM - DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM -
包装说明 DIMM, DIMM184 - DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 DIMM, DIMM184 -
针数 184 - 184 184 184 184 184 -
Reach Compliance Code compli - compli compli compli compli compli -
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 -
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST - FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST -
最长访问时间 0.75 ns - 0.75 ns 0.7 ns 0.7 ns 0.75 ns 0.75 ns -
其他特性 AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH -
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz - 133 MHz 166 MHz 166 MHz 133 MHz 133 MHz -
I/O 类型 COMMON - COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON -
JESD-30 代码 R-XDMA-N184 - R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 R-XDMA-N184 -
内存密度 9663676416 bi - 9663676416 bi 9663676416 bi 8589934592 bi 8589934592 bi 8589934592 bi -
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE - DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE -
内存宽度 72 - 72 72 64 64 64 -
功能数量 1 - 1 1 1 1 1 -
端口数量 1 - 1 1 1 1 1 -
端子数量 184 - 184 184 184 184 184 -
字数 134217728 words - 134217728 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words 134217728 words -
字数代码 128000000 - 128000000 128000000 128000000 128000000 128000000 -
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS -
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C -
组织 128MX72 - 128MX72 128MX72 128MX64 128MX64 128MX64 -
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE -
封装主体材料 UNSPECIFIED - UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED -
封装代码 DIMM - DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM -
封装等效代码 DIMM184 - DIMM184 DIMM184 DIMM184 DIMM184 DIMM184 -
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY -
电源 2.5 V - 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V -
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
刷新周期 8192 - 8192 8192 8192 8192 8192 -
自我刷新 YES - YES YES YES YES YES -
最大待机电流 0.108 A - 0.108 A 0.108 A 0.096 A 0.096 A 0.096 A -
最大压摆率 3.825 mA - 3.825 mA 4.41 mA 3.92 mA 3.4 mA 3.4 mA -
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V - 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V -
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V - 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V -
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V - 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V -
表面贴装 NO - NO NO NO NO NO -
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS -
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL -
端子形式 NO LEAD - NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD -
端子节距 1.27 mm - 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm -
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL -
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