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HM5225165BLTT-A6

产品描述256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM
产品类别存储    存储   
文件大小365KB,共63页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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HM5225165BLTT-A6概述

256M LVTTL interface SDRAM 133 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank /16-Mword 】 4-bit 】 4-bank PC/133, PC/100 SDRAM

HM5225165BLTT-A6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP54,.46,32
针数54
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)100 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度268435456 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

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HM5225165B-75/A6/B6
HM5225805B-75/A6/B6
HM5225405B-75/A6/B6
256M LVTTL interface SDRAM
133 MHz/100 MHz
4-Mword
×
16-bit
×
4-bank/8-Mword
×
8-bit
×
4-bank
/16-Mword
×
4-bit
×
4-bank
PC/133, PC/100 SDRAM
E0082H10 (1st edition)
(Previous ADE-203-1073B (Z))
Jan. 31, 2001
Description
The HM5225165B is a 256-Mbit SDRAM organized as 4194304-word
×
16-bit
×
4 bank. The HM5225805B
is a 256-Mbit SDRAM organized as 8388608-word
×
8-bit
×
4 bank. The HM5225405B is a 256-Mbit
SDRAM organized as 16777216-word
×
4-bit
×
4 bank. All inputs and outputs are referred to the rising edge
of the clock input. It is packaged in standard 54-pin plastic TSOP II.
Features
3.3 V power supply
Clock frequency: 133 MHz/100 MHz (max)
LVTTL interface
Single pulsed
RAS
4 banks can operate simultaneously and independently
Burst read/write operation and burst read/single write operation capability
Programmable burst length: 1/2/4/8
2 variations of burst sequence
Sequential (BL = 1/2/4/8)
Interleave (BL = 1/2/4/8)
Programmable
CAS
latency: 2/3
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.
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