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HM51W18165LTT-7

产品描述16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh
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文件大小264KB,共36页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM51W18165LTT-7概述

16 M EDO DRAM (1-Mword 16-bit) 4 k Refresh/1 k Refresh

HM51W18165LTT-7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP44/50,.46,32
针数50
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G44
JESD-609代码e0
长度20.95 mm
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量44
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP44/50,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大待机电流0.00015 A
最大压摆率0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

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HM51W16165 Series
HM51W18165 Series
16 M EDO DRAM (1-Mword
×
16-bit)
4 k Refresh/1 k Refresh
ADE-203-650D (Z)
Rev. 4.0
Nov. 1997
Description
The Hitachi HM51W16165 Series, HM51W18165 Series are CMOS dynamic RAMs organized as
1,048,576-word
×
16-bit. They employ the most advanced CMOS technology for high performance and
low power. HM51W16165 Series, HM51W18165 Series offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a
high speed access mode. They have package variations of standard 400-mil 42-pin plastic SOJ and 400-mil
50-pin plastic TSOP.
Features
Single 3.3 V (±0.3 V)
Access time: 50 ns/60 ns/70 ns (max)
Power dissipation
Active mode : 396 mW/360mW/324 mW (max) (HM51W16165 Series)
: 684 mW /612 mW /540 mW (max) (HM51W18165 Series)
Standby mode : 7.2 mW (max)
: 0.54 mW (max) (L-version)
EDO page mode capability
Refresh cycles
4096 refresh cycles : 64 ms (HM51W16165 Series)
: 128 ms (L-version)
1024 refresh cycles : 16 ms (HM51W18165 Series)
: 128 ms (L-version)
4 variations of refresh
RAS-only
refresh
CAS-before-RAS
refresh
Hidden refresh
Self refresh (L-version)
2CAS-byte control
Battery backup operation (L-version)
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