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HM5165165FLJ-5

产品描述64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh
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文件大小493KB,共37页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM5165165FLJ-5概述

64M EDO DRAM (4-Mword x 16-bit) 8k refresh/4k refresh

HM5165165FLJ-5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ50,.44,32
针数50
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式EDO PAGE
最长访问时间50 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J50
JESD-609代码e0
长度20.95 mm
内存密度67108864 bi
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量50
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ50,.44,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度3.76 mm
自我刷新YES
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
Base Number Matches1

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HM5164165F Series
HM5165165F Series
64M EDO DRAM (4-Mword
×
16-bit)
8k refresh/4k refresh
ADE-203-1058B(Z)
Rev. 2.0
Nov. 30, 1999
Description
The Hitachi HM5164165F Series, HM5165165F Series are 64M-bit dynamic RAMs organized as 4,194,304-
word
×
16-bit. They have realized high performance and low power by employing CMOS process technology.
HM5164165F Series, HM5165165F Series offer Extended Data Out (EDO) Page Mode as a high speed
access mode. They have the package variations of standard 50-pin plastic SOJ and standerd 50-pin plastic
TSOPII
Features
Single 3.3 V supply: 3.3 V
±
0.3 V
Access time: 50 ns/60 ns (max)
Power dissipation
Active: 432 mW/396 mW (max) (HM5164165F Series)
: 504 mW/432 mW (max) (HM5165165F Series)
Standby : 1.8 mW (max) (CMOS interface)
: 1.1 mW (max) (L-version)
EDO page mode capability
Refresh cycles
RAS-only
refresh
8192 cycles /64 ms (HM5164165F, HM5164165FL)
4096 cycles /64 ms (HM5165165F, HM5165165FL)
CBR/Hidden refresh
4096 cycles /64 ms (HM5164165F, HM5164165FL, HM5165165F, HM5165165FL)
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