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HM51258P-15

产品描述262,144-word x 1-bit Static Column CMOS Dynamic RAM
产品类别存储    存储   
文件大小503KB,共9页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HM51258P-15概述

262,144-word x 1-bit Static Column CMOS Dynamic RAM

HM51258P-15规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP16,.3
针数16
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式STATIC COLUMN
最长访问时间150 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDIP-T16
JESD-609代码e0
长度19.2 mm
内存密度262144 bi
内存集成电路类型STATIC COLUMN DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量16
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期256
座面最大高度5.08 mm
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

HM51258P-15相似产品对比

HM51258P-15 HM51258P HM51258P-10 HM51258P-12 HM51258P-8
描述 262,144-word x 1-bit Static Column CMOS Dynamic RAM 262,144-word x 1-bit Static Column CMOS Dynamic RAM 262,144-word x 1-bit Static Column CMOS Dynamic RAM 262,144-word x 1-bit Static Column CMOS Dynamic RAM 262,144-word x 1-bit Static Column CMOS Dynamic RAM
是否Rohs认证 不符合 - 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP - DIP DIP DIP
包装说明 DIP, DIP16,.3 - DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3 DIP, DIP16,.3
针数 16 - 16 16 16
Reach Compliance Code unknow - unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 STATIC COLUMN - STATIC COLUMN STATIC COLUMN STATIC COLUMN
最长访问时间 150 ns - 100 ns 120 ns 85 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH - RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 SEPARATE - SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-PDIP-T16 - R-PDIP-T16 R-PDIP-T16 R-PDIP-T16
JESD-609代码 e0 - e0 e0 e0
长度 19.2 mm - 19.2 mm 19.2 mm 19.2 mm
内存密度 262144 bi - 262144 bi 262144 bi 262144 bi
内存集成电路类型 STATIC COLUMN DRAM - STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM
内存宽度 1 - 1 1 1
功能数量 1 - 1 1 1
端口数量 1 - 1 1 1
端子数量 16 - 16 16 16
字数 262144 words - 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 - 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS - ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C - 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX1 - 256KX1 256KX1 256KX1
输出特性 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP - DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP16,.3 - DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - IN-LINE IN-LINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V - 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 256 - 256 256 256
座面最大高度 5.08 mm - 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大待机电流 0.002 A - 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最大压摆率 0.04 mA - 0.06 mA 0.05 mA 0.07 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO - NO NO NO
技术 CMOS - CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm - 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL - DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm - 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 - 1 - 1
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