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HM5117805TT-6

产品描述16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh
产品类别存储    存储   
文件大小489KB,共32页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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HM5117805TT-6概述

16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh

HM5117805TT-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP2, TSOP28,.46
针数28
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度18.41 mm
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP28,.46
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度1.2 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

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EO
Description
Features
HM5117805 Series
16 M EDO DRAM (2-Mword
×
8-bit)
2 k Refresh
E0156H10 (Ver. 1.0)
(Previous ADE-203-630D (Z))
Jun. 27, 2001
The HM5117805 is a C MOS dynamic R AM orga nize d 2, 097,152-w ord
×
8-bit. It employs the most
adva nce d C MOS tec hnology for high per forma nce and low powe r. The HM5117805 off ers Extende d Da ta
Out (ED O) P age Mode as a high spee d ac ce ss mode. Multiplexe d addr ess input per mits the HM5117805 to
be packaged in standard 28-pin plastic SOJ and 28-pin TSOP.
Single 5 V (±10%)
Access time: 50 ns/60 ns/70 ns (max)
Power dissipation
Active mode: 605 mW/550 mW/495 mW (max)
Standby mode : 11 mW (max)
: 0.83 mW (max) (L-version)
EDO page mode capability
Long refresh period
2048 refresh cycles : 32 ms
: 128 ms (L-version)
4 variations of refresh
RAS-only
refresh
CAS-before-RAS
refresh
Hidden refresh
Self refresh (L-version)
Battery backup operation (L-version)
Elpida Memory, Inc. is a joint venture DRAM company of NEC Corporation and Hitachi, Ltd.
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